[发明专利]具有p型限制发射层的氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 200810138526.0 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101494265A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 叶孟欣;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 限制 发射 氮化物 发光二极管 | ||
1. 具有p型限制发射层的氮化物发光二极管，包含：
-蓝宝石衬底；
-由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层；
-在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；
其特征在于：p侧层由p型限制发射层、p型层及p型接触层依次层叠构成；p型限制发射层是由第一氮化铝铟镓、氮化铟镓、第二氮化铝铟镓依次层叠构成的一复合式半导体层；p型限制发射层分别与p型层及n侧层之上的发光层连接。
2. 根据权利要求1所述的具有p型限制发射层的氮化物发光二极管，其特征是：
p型限制发射层中的氮化铝铟镓和/或氮化铟镓掺杂了镁Mg，p型限制发射层厚度为100埃～1000埃。
3. 根据权利要求1或2所述的具有p型限制发射层的氮化物发光二极管，其特征在于：第一氮化铝铟镓AlxInyGal-x-yN膜厚为5埃～100埃，
0＜x＜0.3，0≤y＜0.3。
4. 根据权利要求1或2所述的具有p型限制发射层的氮化物发光二极管，其特征在于：氮化铟镓InzGal-zN膜厚为10埃～100埃，0.1＜z＜0.4。
5. 根据权利要求1或2所述的具有p型限制发射层的氮化物发光二极管，其特征在于：第二氮化铝铟镓AlxInyGal-x-yN膜厚为85埃～800埃，
0＜x＜0.3，0≤y＜0.3。
6. 根据权利要求1或2所述的具有p型限制发射层的氮化物发光二极管，其特征在于：p型限制发射层中的氮化铟镓层为高掺杂镁的氮化物半导体层，其Mg的掺杂量大于1×1019cm-3。
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