[发明专利]一种金属化膜及其制备方法和含有该金属化膜的线路板

权利要求书

1.一种金属化膜，包括聚合物底层和所述底层上的金属层，其特征在于：所述聚合物底层为多孔聚酰亚胺膜，所述多孔聚酰亚胺膜厚度为0.01-2mm，平均孔径为0.01-40um，孔隙率为30-80%。

2.根据权利要求1所述的金属化膜，其特征在于：所述多孔聚酰亚胺膜厚度为0.1-1mm，平均孔径0.01-5um，孔隙率为60-80%。

3.根据权利要求1所述的金属化膜，其特征在于：所述金属层厚度为0.005-0.1mm。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的金属化膜，其特征在于：所述金属层为铜镀层、镍镀层、银镀层、钯镀层、铂镀层和金镀层中的一种或几种。

5.一种金属化膜的制备方法，包括：

a、将多孔聚酰亚胺膜与金属配合物的溶液接触，得到改性聚酰亚胺膜；

b、光照所述改性聚酰亚胺膜，得到金属化膜前体；

c、在所述金属化膜前体上形成金属层，得到金属化膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述多孔聚酰亚胺膜厚度为0.01-2mm，平均孔径为0.01-40um，孔隙率为30-80%。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述将多孔聚酰亚胺膜与金属配合物的溶液接触的方法为将多孔聚酰亚胺膜浸没于金属配合物的溶液中1-10min。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，金属配合物溶液的浓度为0.1-10mol/l；所述金属配合物为铜、铝、金、银、铂、钯和镍中的一种或几种与4-羧基苯氧乙酸、二氨基乙酸、邻磺酰苯甲酰亚胺、赖氨酸席夫碱、芸香苷、混合氨基酸、水杨醛肟、水合硫酸四氨、吡啶硫酮、壳聚糖、8-羟基喹啉、酰胺型三足体、牛磺酸席夫碱、羟丙基芦丁、2，2’-联吡啶、柠檬酸、2,4-二硝基咪唑、大环氰基或吲哚-3-丙酸中的一种或几种形成的配合物。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述光照之前将改性聚酰亚胺膜在149-156℃下保持60-120min。

10.根据权利要求5或9所述的制备方法，其特征在于，所述光照改性聚酰亚胺膜方法为：采用波长为300-1200nm、Q频为3-40kHz的激光照射所述改性聚酰亚胺膜10-120s。

11.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述金属化膜前体上形成金属层的方法为化学镀或电镀。

12.一种线路板，包括内层线路板和分布在所述内层线路板两侧的第一铜层和第二铜层，其特征在于：所述内层线路板为权利要求1-4所述的金属化膜。

13.一种线路板，包括内层线路板和分布在所述内层线路板两侧的第一铜层和第二铜层，其特征在于：所述内层线路板为通过权利要求5-11所述的方法制备的金属化膜。