[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

在衬底上方形成抗蚀层；

曝光所述抗蚀层，从而在所述抗蚀层上形成第一曝光图案和第二曝光图案，所述第二曝光图案用于形成一个或多个沟槽；

将所述抗蚀层与显影液接触，从而形成具有与所述第一曝光图案相对应的开口的构图的抗蚀层，并且在所述构图的抗蚀层的表面层上形成与所述第二曝光图案相对应的一个或多个沟槽，以及；

在所述构图的抗蚀层上进行焙烧工艺；

其中，通过使用光刻版曝光所述抗蚀层形成所述第一曝光图案和所述第二曝光图案，所述光刻版具有透明部、光屏蔽部和低光透射部，所述低光透射部具有曝光所述抗蚀层的光的光透射率，所述光透射率低于所述透明部的光透射率，以及所述光刻版的所述低光透射部包括半色调膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述一个或多个沟槽包括多个沟槽。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，平行地形成所述沟槽。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述多个沟槽在所述构图的抗蚀层上形成格形图案。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中：

在所述抗蚀层上形成所述第一曝光图案和所述第二曝光图案，从而使得所述透明部与所述构图的抗蚀层的所述开口相对应，使得所述光屏蔽部和所述低光透射部与所述构图的抗蚀层相对应，以及使得所述低光透射部与所述构图的抗蚀层的所述表面层中的所述一个或多个沟槽相对应。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述光刻版的所述光屏蔽部包括由所述半色调膜和另一种类型的半色调膜所组成的层压结构，所述另一种类型的半色调膜具有低于所述半色调膜的光透射率的光透射率。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中：

对于在所述抗蚀层的曝光中所使用的光所述低光透射部的光透射率低于所述透明部的光透射率；以及

在所述抗蚀层中形成所述第一曝光图案和所述第二曝光图案，从而所述光屏蔽部与所述构图的抗蚀层的所述开口相对应，所述透明部和所述低光透射部与所述构图的抗蚀层相对应，以及所述低光透射部与所述构图的抗蚀层的所述表面层中的所述一个或多个沟槽相对应。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述光刻版的所述光屏蔽部包括由所述半色调膜和另一种类型的半色调膜组成的层压结构，所述另一种类型的半色调膜具有低于所述半色调膜的光透射率的光透射率。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，代表相对高度的D/d在1/10至1/2的范围之内，其中D表示所述沟槽的深度，d表示所述构图的抗蚀层的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述构图的抗蚀层的表面中的所述每个沟槽的宽度等于或小于10μm。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述每个沟槽具有V形的横截面。

12.一种半导体器件的制造方法，包括：

在衬底上方形成抗蚀层；

曝光所述抗蚀层，在所述抗蚀层上形成所述第一曝光图案；

曝光所述抗蚀层，在所述抗蚀层上形成所述第二曝光图案，所述第二曝光图案用于形成一个或多个沟槽；

将所述抗蚀层与显影液接触，从而形成具有与所述第一曝光图案相对应的开口的构图的抗蚀层，并且在所述构图的抗蚀层的表面层上形成与所述第二曝光图案相对应的一个或多个沟槽，以及；

在所述构图的抗蚀层上进行焙烧工艺；

其中，通过使用光刻版执行形成所述第二曝光图案的所述步骤，所述光刻版包括光屏蔽部和低光透射部；并且所述低光透射部包括半色调膜。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，所述光刻版具有在所述光刻版的整个表面中的用于形成一个或多个沟槽的图案。

14.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中：

在形成所述第二曝光图案的所述步骤中的所述抗蚀层的曝光量小于在形成所述第一曝光图案的所述步骤中的所述抗蚀层的曝光量。