[发明专利]基板清洗装置及具有该基板清洗装置的基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于清洗基板的基板清洗装置以及具有该基板清洗装置的基板处理装置。 

背景技术

基板处理装置用于对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等各种基板进行各种处理。 

在这样的基板处理装置中，一般对一个基板连续进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报中记载的基板处理装置包含分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区以及接口区。以与接口区相邻的方式，配置有作为基板处理装置之外的外部装置的曝光装置。 

在上述基板处理装置中，从分度器区搬入的基板，在反射防止膜用处理区以及抗蚀膜用处理区中形成反射防止膜以及进行抗蚀膜的涂敷处理之后，经由接口区搬送至曝光装置。在曝光装置中对基板上的抗蚀膜进行曝光处理后，经由接口区将基板搬送至显影处理区。通过在显影处理区对基板上的抗蚀膜进行显影处理而形成抗蚀图案后，将基板搬送至分度器区。 

近年，伴随设备的高密度化以及高集成化，抗蚀膜图案的细微化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，经由投影透镜将中间掩模缩小投影在基板上而实施曝光处理。但是，在这样的以往曝光装置中，曝光图案的线宽由曝光装置的光源的波长决定，因此抗蚀图案的细微化的程度是有界限的。 

因此，作为可使曝光图案进一步细微化的投影曝光方法，提出了浸液法(例如参照国际公开第99/49504号小册子)。在国际公开第99/49504号小册子中公开的投影曝光装置中，能够在投影光学系统和基板之间充满液体使基板表面的曝光光的短波长化。由此，可以进一步使曝光图案细微化。 

但是，在上述国际公开第99/49504号小册子中公开的投影曝光装置中，因为在基板与液体接触的状态下进行曝光处理，所以若在曝光处理前在基板上附着有污染物质，则该污染物会混入液体中。 

在曝光处理前，对基板进行了各种成膜处理，但是在该成膜处理过程中，出现基板的端部受污染的情况。这样，若在基板的端部受污染的状态下进行基板的曝光处理，则可能污染曝光装置的透镜，产生曝光图案的尺寸缺陷以及形状缺陷。 

发明内容

本发明的目的是提供一种可以充分地清洗基板端部的必要部分的基板清洗装置以及具有该清洗装置的基板处理装置。 

本发明的一个方面的基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，具有：处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其相邻于处理部的一个端部而设置，用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部以及交接部中的至少一个具有对曝光处理前的基板进行清洗的基板清洗装置，基板清洗装置包括：基板旋转保持装置，其在保持基板的同时使基板旋转，端部清洗刷，其以能够接触基板旋转保持装置所保持的基板的端部的方式设置，刷旋转机构，其使端部清洗刷围绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似垂直的方向的旋转轴旋转；端部清洗刷具有：锥状的第一清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板的一面侧的斜面区域接触，圆柱状的第二清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，锥状的第三清洗面，其能够与由基板旋转保持装置保持的基板的另一面侧的斜面区域接触；第一、第二以及第三清洗面以旋转轴为中心一体设置。 

在该基板处理装置中，在处理部中对基板进行规定的处理，通过交接部使该基板从处理部交接至曝光装置。在曝光装置中对基板进行曝光处理后，曝光处理后的基板通过交接部从曝光装置返回至处理部。在曝光装置的曝光处理之前或者曝光处理之后，通过基板清洗装置清洗基板。 

在基板清洗装置中，在通过基板旋转保持装置保持基板的同时旋转基板。另外，通过刷旋转机构绕与基板旋转保持装置所保持的基板的一面近似垂直的方向的旋转轴旋转端部清洗刷。在此状态下，端部清洗刷与基板的端 部接触。 

端部清洗刷的第一清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的一面一侧的斜面区域接触，由此清洗基板的一面一侧的斜面区域。另外，端部清洗刷的第二清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的端面区域接触，由此清洗基板的端面区域。而且，端部清洗刷的第三清洗面与由基板旋转保持装置保持的基板的另一面一侧的斜面区域接触，由此清洗基板的另一面一侧的斜面区域。