[发明专利]具有电阻器的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括第一区和第二区的基板；

所述第一区中的所述基板上的至少一个第一栅极结构，所述至少 一个第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层上的第 一栅极电极层；

所述第二区中的所述基板中的至少一个隔离结构，所述隔离结构 的顶表面在高度上低于所述基板的顶表面；

所述至少一个隔离结构上的至少一个电阻器图案；和

所述第二区中的虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构的顶表面的高 度大于所述电阻器图案的顶表面的高度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一区包括所述器 件的单元区，其中所述至少一个第一栅极结构包括至少一个单元栅极 结构，并且其中所述第二区包括所述器件的外围区。

3.如权利要求1所述的半导体器件：

其中所述第一栅极绝缘层包括隧道绝缘层；并且

其中所述至少一个第一栅极结构包括所述隧道绝缘层、所述隧道 绝缘层上的电荷存储层、所述电荷存储层上的阻挡绝缘层、和所述阻 挡绝缘层上的第一栅极电极层。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述至少一个第一栅极 结构包括多个第一栅极结构，并且其中在所述多个第一栅极结构的子 集中，所述第一栅极电极层和所述电荷存储层直接电气接触。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个第一栅极 结构包括其顶部处的硅化物区。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中在所述至少一个电阻器 图案上不存在硅化物区。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个第一栅极 结构包括其顶部处的金属层。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中在所述至少一个电阻器 图案上不存在金属层。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个第一栅极 结构形成所述第一区中的非易失存储器单元的栅极。

10.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括位于所述至少 一个隔离结构上并且在所述电阻器图案下方的绝缘层。

11.一种形成包括第一区和第二区的半导体器件的方法，包括：

在基板上提供栅极绝缘层，所述基板具有上表面；

在所述第一区中的和在所述第二区中的所述基板中提供隔离结 构；

在所述第一区中的和在所述第二区中的所述栅极绝缘层上提供第 一栅极电极层；

移除所述第二区中的部分的所述第一栅极电极层和所述栅极绝缘 层，以使所述第二区中的所述隔离结构暴露；

移除暴露的隔离结构的上部，以使所述基板中的所述隔离结构凹 陷，使得所述隔离结构的顶表面在高度上低于所述基板的所述上表面；

在所述第一栅极电极层上的所述第一区中并且在所述凹陷的隔离 结构上的所述第二区中提供第二栅极电极层；

对所述第一区中的所述第二栅极电极层、所述第一栅极电极层和 所述栅极绝缘层构图，以形成所述第一区中的第一栅极结构，并且对 所述第二栅极电极层构图，以形成所述第二区中的凹陷的隔离结构上 的电阻器图案；以及

在所述第二区中的所述电阻器图案之间提供虚拟栅极结构，所述 虚拟栅极结构的顶表面的高度大于所述电阻器图案的顶表面的高度。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一区包括所述器件的 单元区，其中所述第一栅极结构包括单元栅极结构，并且其中所述第 二区包括所述器件的外围区。