[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法和制造方法

权利要求书

1、一种非易失性存储装置，包括：

至少一个半导体层；

多个控制栅电极，凹陷到半导体层中；

多个电荷存储层，在多个控制栅电极和半导体层之间；

至少一个第一辅助电极和至少一个第二辅助电极，第一辅助电极和第二辅助电极布置成彼此面对，

其中，多个控制栅电极在第一辅助电极和第二辅助电极之间，第一辅助电极和第二辅助电极与半导体层电容式结合。

2、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，多个电荷存储层围绕多个控制栅电极的侧壁。

3、如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括：

多个隧穿绝缘层，在多个电荷存储层和半导体层之间，

其中，多个隧穿绝缘层彼此连接。

4、如权利要求3所述的非易失性存储装置，还包括：

多个阻挡绝缘层，在多个控制栅电极和多个电荷存储层之间。

5、如权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，多个隧穿绝缘层和多个阻挡绝缘层围绕控制栅电极的侧壁。

6、如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，多个隧穿绝缘层关于多个控制栅电极将半导体层分为第一区域和第二区域。

7、如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个第一辅助电极凹陷到第一区域中，所述至少一个第二辅助电极凹陷到第二区域中。

8、如权利要求7所述的非易失性存储装置，还包括：

第一介电层，在所述至少一个第一辅助电极和半导体层之间；

第二介电层，在所述至少一个第二辅助电极和半导体层之间。

9、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个第一辅助电极以线形位于多个控制栅电极的侧部上。

10、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个第二辅助电极以线形位于多个控制栅电极的侧部上。

11、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个第一辅助电极和所述至少一个第二辅助电极布置成关于多个控制栅电极彼此对称。

12、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，

至少一个半导体层是多个半导体层；

多个控制栅电极延伸以穿透多个半导体层；

多个电荷存储层在多个控制栅电极和多个半导体层之间；

至少一个第一辅助电极是位于多个控制栅电极的第一侧并与多个半导体层电容式结合的多个第一辅助电极；

至少一个第二辅助电极是位于多个控制栅电极的第二侧并与多个半导体层电容式结合的多个第二辅助电极。

13、如权利要求12所述的非易失性存储装置，其中，多个第一辅助电极凹陷到多个半导体层中。

14、如权利要求12所述的非易失性存储装置，其中，多个第二辅助电极凹陷到多个半导体层中。

15、如权利要求12所述的非易失性存储装置，还包括：

多个位线塞，位于多个控制栅电极的端部，所述多个位线塞延伸以穿透多个半导体层。

16、如权利要求12所述的非易失性存储装置，还包括：

多个共源线塞，位于多个控制栅电极的另一端部，所述多个共源线塞延伸以穿透多个半导体层。

17、如权利要求12所述的非易失性存储装置，还包括：

多个隧穿绝缘层，在多个电荷存储层和多个半导体层之间，多个隧穿绝缘层彼此连接。

18、如权利要求12所述的非易失性存储装置，还包括：

多个阻挡绝缘层，在多个控制栅电极和多个电荷存储层之间。

19、一种操作非易失性存储装置的方法，所述方法包括如下步骤：

执行编程操作，所述编程操作包括将数据存储到在位线和共源线之间按NAND串彼此连接的多个存储单元中的至少一个存储单元中，

其中，NAND串包括第一页和第二页，其中，编程操作包括执行第一页编程操作，所述第一页编程操作包括将地电压施加到与半导体层的第一页电容式结合的第一辅助线，并将编程禁止电压施加到与半导体层的第二页电容式结合的第二辅助线。