[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

形成于半导体基板上的电路，所述电路包括铜配线；

与所述电路连接的熔丝；

以覆盖所述熔丝的方式形成的含有氮的氧化硅膜；

配置于所述含有氮的氧化硅膜上的蚀刻阻止膜；

配置于所述蚀刻阻止膜上的绝缘膜，所述蚀刻阻止膜和所述绝缘膜在所述熔丝的一部分的上部具备露出所述含有氮的氧化硅膜的露出区域；

形成于所述熔丝的下部的基底绝缘膜；及

配置于所述铜配线上的焊盘部，所述焊盘部按照穿过所述含有氮的氧化硅膜、所述蚀刻阻止膜及所述绝缘膜的方式形成，

其中，所述铜配线包括铜膜和设在所述铜膜上的铜腐蚀防止膜，所述铜腐蚀防止膜配置在与所述熔丝相同的平面上，所述铜膜嵌入所述基底绝缘膜中，并且，所述熔丝和所述铜腐蚀防止膜由相同材料构成，所述熔丝与所述基底绝缘膜相接，所述铜腐蚀防止膜与所述铜膜接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是，还包括被嵌入所述基底绝缘膜并且包围所述熔丝的外周部而形成的保护环。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征是，所述保护环被形成于与所述铜膜相同的平面上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是，所述含有氮的氧化硅膜含有SiON。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是：

所述蚀刻阻止膜包含SiN膜。