[发明专利]单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构及其工艺

权利要求书

1.一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆工艺，其特征在于，包括下列 步骤：

首先提供单一晶粒尺寸半导体元件及治具；

将该单一晶粒尺寸半导体元件的上表面贴附于该治具；

然后执行绝缘被覆工艺，一起将该治具、及该单一晶粒尺寸半导体元件 放置于镀膜设备，形成绝缘被覆层于该单一晶粒尺寸半导体元件上，通过该 治具遮蔽该单一晶粒尺寸半导体元件的上表面，该单一晶粒尺寸半导体元件 的上表面定义金属引线区域，该金属引线区域形成两个金属垫；

接着一起将该治具、及该单一晶粒尺寸半导体元件从该镀膜设备取出， 随后分离该治具与该单一晶粒尺寸半导体元件；

随后将该单一晶粒尺寸半导体元件的两端形成导电层，该导电层覆盖于 该绝缘被覆层、及该两个金属垫；以及

最后将该单一晶粒尺寸半导体元件的两端形成电镀层，该电镀层包覆于 该导电层。

2.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆工艺，其特征 在于，该晶粒尺寸半导体元件的长宽高尺寸约为0.6mm×0.3mm×0. 5mm、1.0mm×0.5mm×0.5mm、或1.6mm×0.8mm×0.5 mm。

3.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆工艺，其特征 在于，该两个金属垫用以与其他衬底电性连接。