[发明专利]衬底的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810145362.4 申请日: 2008-08-07
公开(公告)号: CN101409985A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 饭田宪司;阿部知行;前原靖友;平野伸;中川隆;吉村英明;山胁清吾;尾崎德一 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H05K3/42;H05K3/44
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺;陈 晨
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 衬底 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种衬底的制造方法,包括以下步骤:

在基部件中形成通孔;

用绝缘材料填充所述通孔;

执行非电解镀,以用非电解镀层涂覆所述基部件的表面,在所述基部件中,所述通孔已经填充有所述绝缘材料;

在形成于所述基部件的表面上的所述非电解镀层上涂敷光致抗蚀剂;

光学曝光和显影所述光致抗蚀剂,以形成涂覆填充有所述绝缘材料的所述通孔的端面的抗蚀剂图案;

使用所述抗蚀剂图案作为掩模,蚀刻形成于所述基部件的表面上的导电层;以及

使用所述非电解镀层作为释放层,从所述基部件去除涂覆在所述通孔的端面上的所述抗蚀剂图案。

2.根据权利要求1所述的方法,

其中所述通孔是导孔,用于形成穿透所述通孔的镀通孔部分;以及

用绝缘材料填充所述导孔,然后执行用于涂覆所述基部件的表面的所述非电解镀。

3.根据权利要求2所述的方法,

其中执行用于涂覆所述基部件的表面的所述非电解镀,用所述抗蚀剂图案涂覆填充有所述树脂的所述导孔的端面,并且蚀刻所述基部件的表面上的所述导电层以去除所述抗蚀剂图案;以及

形成穿透所述导孔的通孔,并且通过镀制来涂覆所述通孔的内面以形成所述镀通孔部分。

4.根据权利要求3所述的方法,

其中在从所述基部件去除所述抗蚀剂图案之后,在所述基部件的两个侧面上层积线缆层;以及

在所述基部件中形成穿透所述导孔的所述通孔,以形成所述镀通孔部分,在所述基部件上已经一体地层积有所述线缆层。

5.根据权利要求1所述的方法,

其中所述基部件具有导电芯部分;

在形成所述通孔之后,用通过镀制所述基部件而形成的镀层来涂覆所述通孔的内面;以及

在用所述树脂填充所述通孔之后,通过执行非电解镀来涂覆所述基部件的表面。

6.根据权利要求5所述的方法,

其中所述通孔是导孔,用于形成穿透所述通孔的镀通孔部分;

用通过镀制所述基部件而形成的镀层来涂覆所述导孔的内面;以及

在用所述绝缘材料填充所述导孔之后,通过执行非电解镀来涂覆所述基部件的表面。

7.根据权利要求6所述的方法,

其中在用所述镀层涂覆所述导孔的内面之后,以绝缘膜来涂覆所述导孔的内面,所述绝缘膜使用所述镀层作为电功率馈送层的电沉积方法而形成;以及

用所述绝缘材料填充已经用所述绝缘膜涂覆内面的所述导孔。

8.根据权利要求6所述的方法,

其中在执行非电解镀来涂覆所述基部件的表面、形成所述抗蚀剂图案、蚀刻所述基部件的表面上形成的所述导电层以及从所述基部件去除所述抗蚀剂图案的步骤之后,形成穿透所述导孔的通孔,并且用镀层涂覆所述通孔的内面,以形成所述镀通孔部分。

9.根据权利要求8所述的方法,

其中在从所述基部件去除所述抗蚀剂图案之后,在所述基部件的两个侧面上层积线缆层;以及

在所述基部件中形成穿透所述导孔的所述通孔,以形成所述镀通孔部分,在所述基部件上已经一体地层积有所述线缆层。

10.根据权利要求9所述的方法,

其中在形成所述镀通孔部分之后,用树脂填充所述通孔;以及

按指定图案蚀刻所述基部件的表面上的所述导电层,以在所述基部件的表面上形成电连接到所述镀通孔部分的线缆图案。

11.根据权利要求10所述的方法,

其中在所述衬底的两个侧面上层积线缆层以形成多层衬底。

12.根据权利要求11所述的方法,

其中通过构建方法在所述衬底的两个侧面上层积所述线缆层。

13.根据权利要求5所述的方法,

其中通过加热和加压包括碳纤维的多个预浸料,将所述芯部分形成为平板。

14.根据权利要求1所述的方法,

其中执行非电解镀铜作为用于涂覆所述基部件的表面的非电解镀,所述基部件的通孔已经填充有所述绝缘材料。

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