[发明专利]器件制造方法有效
申请号: | 200810145610.5 | 申请日: | 2008-08-05 |
公开(公告)号: | CN101388326A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/78;H01L21/58;B28D5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 坚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 制造 方法 | ||
1.一种器件制造方法,其特征在于,
上述器件制造方法具有以下工序:
粘接膜安装工序,把粘接膜安装到晶片的背面,其中,上述晶片在 表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中,分别形 成有器件;
晶片支撑工序,把安装有上述粘接膜的晶片的粘接膜侧,粘贴到安 装于环状框架的切割带的表面上;
晶片切削工序,把粘贴在上述切割带表面上的晶片的上述切割带侧, 保持到切削装置的卡盘工作台上,使用切削刀具沿着上述分割预定线切 断晶片,其中上述切削刀具具有外周部的截面形状呈V字状的环状切削 刃;以及
粘接膜断裂工序,在实施上述晶片切削工序之后,使上述切割带扩 展,使张力作用于上述粘接膜,使上述粘接膜沿着形成于晶片上的切削 槽断裂,
上述晶片切削工序这样实施:把上述环状切削刃的外周缘的下端, 定位于到达粘贴在上述切割带表面上的晶片的背面、但并不切削上述粘 接膜的位置。
2.根据权利要求1所述的器件制造方法,其特征在于,
上述器件制造方法在实施上述粘接膜断裂工序之后还具有拾取工 序,在该拾取工序中,将沿着上述分割预定线分割成一个一个的器件, 在它们的背面安装有上述粘接膜的状态下,从上述切割带剥离进行拾取。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810145610.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造