[发明专利]器件制造方法有效

专利信息
申请号: 200810145610.5 申请日: 2008-08-05
公开(公告)号: CN101388326A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 中村胜 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/78;H01L21/58;B28D5/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 陈 坚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 器件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种器件制造方法,其将晶片沿分割预定线分割成一个 个器件,并且在各器件的背面安装芯片焊接用的粘接膜,其中上述晶片 在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中形成有 器件。

背景技术

例如,在半导体器件制造工序中,在大致为圆板形状的半导体晶片 的表面上,在通过形成为格子状的间隔道(分割预定线)划分而成的多 个区域中,形成IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI(large scale integration:大规模集成电路)等器件,通过将形成有该器件的各区域沿 分割预定线进行分割,来制造出一个个的器件。作为分割半导体晶片的 分割装置,通常使用被称为切割装置的切削装置,该切削装置用厚度为 40μm左右的切削刀具对半导体晶片沿分割预定线进行切削。如此分割出 的器件被封装并在移动电话和个人计算机等电气设备中广泛使用。

分割成一个一个的器件在其背面安装有由环氧树脂等形成的厚度为 70~80μm的称为芯片黏着膜(ダイアタツチフイルム)的芯片焊接用的 粘接膜,并且所述器件隔着该粘接膜通过加热而焊接在支撑器件的芯片 焊接框架上。作为在器件的背面安装芯片焊接用的粘接膜的方法,在半 导体晶片的背面上粘贴粘接膜,并隔着该粘接膜将半导体晶片粘贴在切 割带上,然后沿着在半导体晶片的表面上形成的分割预定线通过切削刀 具将粘接膜与半导体晶片一起切断,从而形成在背面安装有粘接膜的器 件。(例如,参照专利文献1。)

专利文献1:日本特开2000-182995号公报

然而,在利用切削刀具将粘接膜与半导体晶片一起切断的方法中, 存在以下问题:在晶片的厚度比较厚的情况下(例如大于等于500μm), 即使将粘接膜与半导体晶片一起切断,也不会损伤器件,但是如果半导 体晶片的厚度比较薄(例如在200μm以下),则由于粘接膜呈糊状,因此 在切削过程中,半导体晶片会振动,器件的侧面(切断面)产生碎屑, 会使器件的质量降低。并且还存在这样的问题:若利用切削刀具将粘接 膜与半导体晶片一起切断,则会生成须状的粘接膜的切屑,并且该切屑 会附着在设于器件的焊盘上。并且,由于切削刀具的切削刃是通过镀来 固定金刚石磨粒而形成的,因此,当切断粘接膜时,会出现气孔阻塞, 需要频繁地进行修正,因而还存在切削刀具的寿命会降低这一问题。另 外,为了消除上述问题,考虑了这样的方法:利用切削刀具只切断半导 体晶片,把它分割成一个个器件,然后通过使粘贴有安装在半导体晶片 背面上的粘接膜的切割带扩展,来沿着一个个器件使粘接膜断裂,然而, 由于切削刀具在半导体晶片上形成的切断槽的宽度的缘故,粘接膜的断 裂面波动,存在粘接膜分离得不均匀,无法实现器件的质量的稳定这一 问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的,其主要技术课题是提供一种能够 把芯片焊接用的粘接膜在不使器件质量降低的情况下安装到器件背面的 器件制造方法。

根据本发明,提供一种器件的制造方法,其特征在于,上述器件制 造方法具有以下工序:粘接膜安装工序,把粘接膜安装到晶片的背面, 其中,上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多 个区域中,分别形成有器件;晶片支撑工序,把安装有上述粘接膜的晶 片的粘接膜侧,粘贴到安装于环状框架的切割带的表面上;晶片切削工 序,把粘贴在上述切割带表面上的晶片的上述切割带侧,保持到切削装 置的卡盘工作台上,使用切削刀具沿着上述分割预定线切断晶片,其中 上述切削刀具具有外周部的截面形状呈V字状的环状切削刃;以及粘接 膜断裂工序,在实施上述晶片切削工序之后,使上述切割带扩展,使张 力作用于上述粘接膜,使上述粘接膜沿着形成于晶片上的切削槽断裂。

在实施上述粘接膜断裂工序之后,实施拾取工序,在该拾取工序中, 将沿着分割预定线分割成一个一个的器件,在它们的背面安装有该粘接 膜的状态下,从该切割带剥离进行拾取。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810145610.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top