[发明专利]防止带电膜、电子发生装置、隔板及图像显示装置

权利要求书

1.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。

2.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是铂粒子，氮化物是氮化铝。

3.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是金粒子，氮化物是氮化铝。

4.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是银粒子，氮化物是氮化铝。

5.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体的含量为0.1～10原子％。

6.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。

7.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，其电阻率ρ＝1×10⁴～1×10¹¹Ωcm。

8.一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求1所述的防止带电膜。

9.一种图像显示装置，包括：气密容器，具有配置了电子源的第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了权利要求1所述的防止带电膜。

10.一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有：配置了电子源的所述第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上具有权利要求1所述的防止带电膜。

11.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。

12.如权利要求11所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是铂粒子，氧化物是氧化铝。

13.如权利要求11所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是金粒子，氧化物是氧化铝。

14.如权利要求11所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是银粒子，氧化物是氧化铝。

15.如权利要求11所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体的含量为0.1～10原子％。

16.如权利要求11所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。

17.如权利要求11所述的防止带电膜，其特征在于，其电阻率ρ＝1×10⁴～1×10¹¹Ωcm。

18.一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求11所述的防止带电膜。

19.一种图像显示装置，包括：气密容器，具有配置了电子源的第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了权利要求11所述的防止带电膜。

20.一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有：配置了电子源的所述第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上具有权利要求11所述的防止带电膜。

21.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。

22.如权利要求21所述的防止带电膜，其特征在于，所述半导体粒子是锗粒子，氮化物是氮化硅。

23.如权利要求21所述的防止带电膜，其特征在于，所述半导体的含量为0.1～10原子％。

24.如权利要求21所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。