[发明专利]防止带电膜、电子发生装置、隔板及图像显示装置无效

专利信息
申请号: 200810145978.1 申请日: 2005-01-21
公开(公告)号: CN101340770A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 佐藤亨;清水康志;大栗宣明 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H05F1/00 分类号: H05F1/00;C09K3/16;H01J29/87;H01J31/12;G09F9/30
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 曲瑞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 防止 带电 电子 发生 装置 隔板 图像 显示装置
【说明书】:

本申请是申请号为“200510005621.X”,申请日为2005年1月21日,发明名称为“防止带电膜和使用它的隔板及图像显示装置”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及图像显示装置等电子发生装置的、被设置在内置电子源的气密容器内的防止带电膜,以及使用它的隔板及图像显示装置。

背景技术

在使用电子发射元件的平面显示器中,如特开平10-284286号公报所示,为了将其内部保持为高真空,采用被称为隔板或肋的抗大气压结构支撑体——隔板。

图7是使用了多个电子发射元件的图像形成装置的剖面示意图。101是背板,102是侧壁,103是前面板,由背板101、侧壁102、前面板103形成气密容器。作为气密容器的抗大气压结构支撑体的隔板107b,设有低电阻膜110,通过导电性熔接物108与布线109连接。

电子发射元件104形成在背板101上,荧光体105和金属敷层106形成在前面板上。设置金属敷层106的目的在于:将荧光体105发出的一部分光进行镜面反射而提高光利用率,保护荧光体105避免负离子的轰击,作为用于施加电子束加速电压的电极而起作用,以及作为激励荧光体105的电子的导电路径而起作用等。

隔板107a呈现隔板的带电状态,通过被从附近的电子源发射的一部分电子碰撞而呈现出引起带电(图中,带正电)的状况。再有,隔板107a在没有设置防止带电膜112的情况下呈现隔板的带电状态,低电阻膜的厚度在图示的情况下,比与隔板107b的防止带电膜112连接的低电阻膜110厚。

如果这样的隔板107a带正电,则从作为电子源的电子发射元件104发射的电子,例如电子轨迹111a那样,被拉引到隔板侧,结果会损害显示图像的质量。

为了解决这种问题,提出了以下方案:在隔板107b上设置防止带电膜112,通过流过微小电流而进行除电,如电子轨迹111b那样,描绘规定的轨迹而不使电子被拉引到隔板上。

此外,如特开2001-143620号公报所示那样,提出以下方案:通过在隔板玻璃基板表面上设置凹凸,与隔板表面是平滑的情况相比,减小有效的二次电子发射系数,高效地抑制隔板表面的带电。

而且,在特开平10-284283号公报中,提出了以下方案:使用铝靶和贵金属靶,作为成膜时使用的气体,使用氩和氮或氧的混合气体,以二元同时溅射方式,形成被覆盖了具有氮化铝或氧化铝和金、钯、铂等贵金属的带电缓和膜的隔板。

但是,在上述以往例所示的隔板中,在除去带电的功能上产生性能差的偏差是十分明显的。

特别是在隔板上形成了稳定分布的情况下,因防止带电膜的电阻温度特性,在电阻率上产生分布。这种电阻率的分布成为除电功能的偏差的主要因素。

具体地说,在平面显示器面板中,因前面板和背板的温度差引起的面板内的温度分布,发生显示图像的扰动。

此外,在通过对多个不同材料靶同时进行溅射(例如使用两种材料的二元溅射),将具有多个元素组成的防止带电膜进行成膜的现有的方法中,即使使成膜条件(背景、溅射压力、气体流量、靶投入功率)相同,有时在每批成膜中防止带电膜的电阻率上也产生偏差。

为了使电阻率一致,需要分别调整向不同的材料靶供给的靶投入功率,不用说,这种调整是繁杂的并且再现性也不一定高。

特别是在二元溅射中,在各个靶投入功率上存在很大的差别的情况下,在投入功率小的靶材料表面上积存投入功率大的靶材料,不可避免引起所谓的交叉污染。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在电阻值的控制性、稳定性和再现性上出色、其电阻温度特性良好的防止带电膜。

本发明提供一种防止带电膜,其特征在于,其特征在于,具有将粒径为0.5~10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。

此外,本发明提供一种防止带电膜,其特征在于,具有将粒径为0.5~10nm的多个导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。

此外,本发明提供一种防止带电膜,其特征在于,具有将粒径为0.5~10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介质中的结构。

此外,本发明提供一种防止带电膜,其特征在于,具有将粒径为0.5~10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。

此外,本发明提供一种防止带电膜,其特征在于,具有将粒径为0.5~10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。

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