[发明专利]基于附体效应补偿的传输栅电路

权利要求书

1.一种基于附体效应补偿的传输栅电路，其包含：

一第一PMOS组件，所述第一PMOS组件的栅极耦接于第一控制信号，所述第一PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于输入端以及输出端；

一第一NMOS组件，所述第一NMOS组件的栅极耦接于第二控制信号，所述第一NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述输入端以及所述输出端；

其特征在于：所述的传输栅电路包含：

一第二PMOS组件，所述第二PMOS组件的栅极耦接于所述第一控制信号，所述第二PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述输入端以及所述第一PMOS组件的体电极；

一第二NMOS组件，所述第二NMOS组件的栅极耦接于所述第二控制信号，所述第二NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述第一PMOS组件的体电极以及所述输出端；

一第三PMOS组件，所述第三PMOS组件的栅极耦接于所述第二控制信号，所述第三PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于第一电源电压以及所述第一PMOS组件的体电极。

2.根据权利要求1所述的传输栅电路，其特征在于：所述第二PMOS组件的第二极与体电极相耦接。

3.根据权利要求1所述的传输栅电路，其特征在于：所述传输栅电路另包含：一第四PMOS组件，所述第四PMOS组件的栅极耦接于所述第一控制信号，所述第四PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述输入端以及所述第一NMOS组件的体电极；

一第三NMOS组件，所述第三NMOS组件的栅极耦接于所述第二控制信号，所述第三NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述第一NMOS组件的体电极以及所述输出端；以及

一第四NMOS组件，所述第四NMOS组件的栅极耦接于所述第一控制信号，所述第四NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述第一NMOS组件的体电极以及第二电源电压。

4.根据权利要求3所述的传输栅电路，其特征在于：所述第二PMOS组件的第二极与所述第二PMOS组件的体电极相耦接，且所述第四PMOS组件的体电极与第二PMOS组件的体电极相耦接。

5.根据权利要求3所述的传输栅电路，其特征在于：所述第二NMOS组件的体电极、所述第三NMOS组件的第一极与体电极皆耦接于所述第一NMOS组件的体电极。

6.根据权利要求3所述的传输栅电路，其特征在于：所述第四PMOS组件的体电极、所述第二PMOS组件的第二极与体电极皆耦接于所述第一PMOS组件的体电极。

7.根据权利要求6所述的传输栅电路，其特征在于：所述第一控制信号与所述第二控制信号是互为相反相位。