[发明专利]多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法有效
| 申请号： | 200810147642.9 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101417802A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 戴自忠;易忠海 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C30B29/06;C30B28/14 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 方 强 |
| 地址： | 614800四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 生产 中的 硅烷 氢气 混合 方法 | ||
1.多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气，其特征在于：将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热，加热后，液态氯硅烷变成气态氯硅烷，通过调节阀和不同的流量计来分别控制氢气和氯硅烷流量，然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合，最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应。
2.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述蒸汽的压力为0.47～0.52MPa，温度为150～160℃。
3.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述气态氯硅烷的温度为100～110℃，压力为0.55～0.65MPa。
4.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述静态混合器内氢气的压力为0.5～0.65MPa，温度为15～35℃。
5.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述蒸汽由产品汽化器产生，加热过程在产品汽化器内进行。
6.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述气态氯硅烷通过产品汽化器后，由与产品汽化器和静态混合器之间的流量计控制流量。
7.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述氢气通过调节阀和另一流量计控制流量。
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