[发明专利]多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法有效
申请号: | 200810147642.9 | 申请日: | 2008-11-24 |
公开(公告)号: | CN101417802A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 戴自忠;易忠海 | 申请(专利权)人: | 四川永祥多晶硅有限公司 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03;C30B29/06;C30B28/14 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 方 强 |
地址: | 614800四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 生产 中的 硅烷 氢气 混合 方法 | ||
技术领域
本发明涉及多晶硅生产工艺领域,特别是多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法。
背景技术
在多晶硅生产中,原料为精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气,作为原料的液态氯硅烷和气态H2在进入氢还原炉前,需要将其混合。
传统的混合工艺是在鼓泡器内进行混合,混合过程为:在鼓泡器中有一定液位的氯硅烷,然后往鼓泡器内通入H2,使H2和气相饱和氯硅烷混合,然后由出口管道将其气相混合物送入氢还原炉。在混合的过程中,通过控制鼓泡器内氯硅烷的温度来控制它们的比例;控制H2的流量来控制混合原料的体积。
而这种传统的工艺,存在以下缺点:
1、H2和氯硅烷的比例很难控制,而且比例值不准确;
2、需要控制的参数较多,而且不直观,一般操作人员很难驾驭。
发明内容
本发明为解决上述问题提供了多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法,非常方便控制氯硅烷、氢气的混合比例,而且控制简单、直观。
本发明的技术方案如下:
多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法,对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气,其特征在于:将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热,加热后,液态氯硅烷变成气态氯硅烷,然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合,最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应。
所述蒸汽的压力为0.47~0.52MPa,温度为150~160℃。
所述气态氯硅烷的温度为100~110℃,压力为0.55~0.65MPa。
所述静态混合器内氢气的压力为0.5~0.65MPa,温度为15~35℃。
所述蒸汽由产品汽化器产生,加热过程在产品汽化器内进行。
所述气态氯硅烷通过产品汽化器后,由与产品汽化器和静态混合器之间的流量计控制流量。
所述氢气通过调节阀和另一流量计控制流量。
通过调节阀和不同的流量计来分别控制氢气和氯硅烷流量,非常方便,而且可以很准确地控制混合的比例。
本发明的有益效果如下:
本方法通过产品汽化器将液态氯硅烷加热变成气态,非常方便输送到静态汽化器中进行混合,而且在静态汽化器中混合比较安全;同时,因为气态的氯硅烷通过非常方便通过流量计、调节阀来控制氯硅烷的流量,所以非常容易控制氯硅烷、氢气的混合比例,还可以将氢气和氯硅烷的比例准确控制,控制直观、简单,主控人员容易驾驭。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图
具体实施方式
多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法,对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气,将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热,加热后,液态氯硅烷变成气态氯硅烷,然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合,最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应。
所述蒸汽的压力为0.47~0.52MPa,温度为150~160℃。
所述气态氯硅烷的温度为100~110℃,压力为0.55~0.65MPa。
所述静态混合器内氢气的压力为0.5~0.65MPa,温度为15~35℃。
所述蒸汽由产品汽化器产生,加热过程在产品汽化器内进行。
所述气态氯硅烷通过产品汽化器后,由与产品汽化器和静态混合器之间的流量计控制流量。
所述氢气通过调节阀和另一流量计控制流量。
通过调节阀和不同的流量计来分别控制氢气和氯硅烷流量,非常方便,而且可以很准确地控制混合的比例。
本方法是将回收系统产品气态氢气通过静态混合器,进行H2循环(H2压力:0.5~0.65MPa,温度:15~35℃);然后将精馏系统产品液态氯硅烷通过产品汽化器加热,产品汽化器内的饱和蒸汽(压力:0.47~0.52MPa,温度:150~160℃)将液态氯硅烷加热成气态氯硅烷(温度:100~110℃,压力:0.55~0.65MPa),然后通过流量计、调节控制气态氯硅烷的流量,最后进入静态混合器与H2混合,混合气体由出口进入氢还原炉,进行反应。
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