[发明专利]四氯化硅生产三氯氢硅的方法无效
| 申请号： | 200810148067.4 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101445245A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 赵兴华;蒲晓东;陈绍章;王岭 | 申请（专利权）人： | 四川新光硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林辉轮;熊晓果 |
| 地址： | 614000四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氯化 生产 三氯氢硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用SiCl4生产SiHCl3的方法，该方法具体步骤如下：
第一步，对四氯化硅进行精馏提纯净化，使得四氯化硅纯度99％；
第二步，对氢气进行净化，使氢气纯度达到99％以上；
第三步，对净化后的四氯化硅和氢气进行混合，其中四氯化硅和氢气的比例为1mol∶2-5mol；
第四步，将混合气体通入温度为1250-1400℃和压力0.2-0.6MPaG的条件下进行反应；
所述将混合气体通入的进气量应当根据反应器温度来确定，进气量应当使得反应器温度在所需要的温度范围内，所述进气量为260-530Nm3/h。
2.如权利要求1所述的利用SiCl4生产SiHCl3的方法，其特征在于：四氯化硅和氢气的比例为1mol∶3-5mol。
3.如权利要求1所述的利用SiCl4生产SiHCl3的方法，其特征在于：温度为1250℃。
4.如权利要求1所述的利用SiCl4生产SiHCl3的方法，其特征在于：压力为0.25-0.30MPaG。
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