[发明专利]电容元件及其制造方法

权利要求书

1.一种电容元件，其特征在于，该元件包括：

一半导体衬底，具有至少一主动元件；

至少一电容元件，形成于所述半导体衬底中一预定区域，所述电容元件包括：

一介电材料基体，位于所述半导体衬底中所述预定区域；

多个第一平板电极，从所述半导体衬底的一表面垂直延伸于所述介电材料基体中而彼此平行配置；

一第一共同导线，形成于所述半导体衬底的所述表面上，并电连接所述多个第一平板电极；

多个第二平板电极，从所述半导体衬底的所述表面垂直延伸于所述介电材料基体中，并与所述多个第一平板电极交错平行配置；

一第二共同导线，相对于所述第一共同导线而形成于所述半导体衬底的所述表面上，并电连接所述多个第二平板电极；及

一第一垂直导线、一第一平行导线、一第二垂直导线及一第二平行导线，所述第一垂直导线贯穿所述半导体衬底及所述第一平行导线形成于所述半导体衬底的所述表面上，并电连接所述第一垂直导线与最外侧的所述第一平板电极，所述第二垂直导线相对于所述第一垂直导线贯穿所述半导体衬底及所述第二平行导线形成于所述半导体衬底的所述表面上，并电连接所述第二垂直导线与最外侧的所述第二平板电极。

2.如权利要求1所述的电容元件，其特征在于，所述介电材料基体的介电常数大于1000。

3.如权利要求1所述的电容元件，其特征在于，该电容元件包括一粘着层接合于所述介电材料基体与所述半导体衬底之间。

4.如权利要求1所述的电容元件，其特征在于，所述电容元件与所述至少一主动元件位于所述半导体衬底的同侧或对侧。

5.如权利要求1所述的电容元件，其特征在于，该电容元件还包括至少一权利要求1所述的电容元件堆叠于所述电容元件的所述表面上，并且所述多个电容元件的所述多个第一垂直导线及所述多个第二垂直导线分别对齐接合。

6.如权利要求5所述的电容元件，其特征在于，该电容元件还包括多个导电凸块形成于最下方的所述电容元件的另一表面下方，并分别与所述多个第一垂直导线、所述多个第二垂直导线电性接触。

7.如权利要求5所述的电容元件，其特征在于，所述电容元件的所述介电材料基体的介电常数大于1000。

8.一种电容元件制造方法，其特征在于，该方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有至少一主动元件；

形成至少一空腔于所述半导体衬底中一预定区域；

填入一介电材料基体于所述空腔中；

形成多个彼此平行的平板状引线孔垂直贯穿所述介电材料基体；

形成多个平板电极于所述平板状引线孔内并同时形成一导线图案于所述半导体衬底的一表面上，其中所述多个平板电极包括彼此交错配置的第一组平板电极及第二组平板电极，所述导线图案包括一第一共同导线连接所述第一组平板电极、一第二共同导线连接所述第二组平板电极、一第一平行导线连接所述第一组平板电极的最外侧平板电极及一第二平行导线连接所述第二组平板电极的最外侧平板电极；

形成一对垂直贯穿孔分别于所述介电材料基体对侧并且通过所述半导体衬底；及

形成一第一垂直导线及一第二垂直导线分别于所述垂直贯穿孔内，并且所述第一垂直导线连接所述第一平行导线，及所述第二垂直导线连接所述第二平行导线。

9.如权利要求8所述的电容元件制造方法，其特征在于，该方法还包括以一粘着层接合所述介电材料基体与所述半导体衬底。

10.如权利要求8所述的电容元件制造方法，其特征在于，所述形成多个彼此平行的平板状引线孔垂直贯穿所述介电材料基体的步骤包括同时形成第一组彼此平行的平板状引线孔及第二组彼此平行的平板状引线孔，并且所述多个第一组平板状引线孔与所述多个第二组平板状引线孔交错配置。

11.如权利要求8所述的电容元件制造方法，其特征在于，所述介电材料基体的介电常数大于1000。