[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200810149113.2 | 申请日: | 2008-09-12 |
公开(公告)号: | CN101388375A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 井口知洋;西内秀夫;樋口和人;木谷智之 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 吴丽丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于包括:
半导体元件;
引线;
将上述半导体元件的电极和上述引线电连接起来的布线构件,其中
上述布线构件至少被具有导电性的材料覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:
上述布线构件是金导线。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其特征在于:
覆盖上述布线构件的导电性材料是金属,是通过电镀形成的连续膜。
4.一种半导体器件,其特征在于包括:
衬底;
设置在上述衬底上的端子;
经由设置在上述衬底上的贯通孔布线与上述端子电连接的外部电极;
形成在上述端子上的凸点电极;
经由上述凸点电极与上述端子电连接的半导体元件;
设置在上述端子、上述外部电极、上述凸点电极以及上述半导体元件上,覆盖与上述凸点电极连接的电极的金属膜。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于:
通过电镀形成上述金属膜。
6.一种半导体器件的制造方法,其特征在于包括:
用布线构件将设置在半导体元件上的电极和设置的引线上的电极电连接起来的工序;
用导电性材料覆盖上述布线构件的工序;
将上述半导体元件、上述引线和被上述导电性材料覆盖的上述布线构件密封的工序。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述用导电性材料覆盖布线构件的工序是:不进行掩模,而通过电镀覆盖上述布线构件的工序。
8.一种半导体器件的制造方法,其特征在于包括:
在塞住设置在衬底上的贯通孔布线的位置上设置外部电极的工序;
在能够经由上述贯通孔布线与上述外部电极电连接的位置上设置端子的工序;
在半导体元件上形成电极的工序;
经由凸点电极将上述电极与上述端子电连接起来的工序;
用导电性材料覆盖上述外部电极、上述端子、上述凸点电极和上述电极的工序;
将形成在上述衬底上的上述端子、上述凸点电极、上述电极和上述半导体元件密封的工序。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述用导电性材料覆盖上述外部电极、上述端子、上述凸点电极和上述电极的工序是:实施电镀处理,在上述外部电极、上述端子、上述凸点电极和上述电极上覆盖导电性材料的连续膜的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810149113.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。