[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造方法，特别涉及能够降低半导体元件的电极和引线(lead)的电极之间的电阻的半导体器件及其制造方法。

背景技术

作为半导体器件的一个例子，可以列举在电流的开关和放大时使用的包含场效应晶体管的晶体管封装。在该晶体管封装中，半导体元件上的电极和引线的电极通过由金(Au)、铝(Al)等具有导电性的金属形成的多条导线(wire)而电连接。

在近年的半导体市场上，要求高速动作且具有高处理能力，同时动作中的消耗电力低的半导体器件。为了克服这样的相反的2个课题，半导体器件的电路正在被微小化，同时为了在半导体器件全体中有效地利用所供给的电力，内部电阻(ON电阻)正在被低电阻化。

作为该内部电阻的例子，可以利用将半导体元件和引线连接起来的布线构件的电阻成分、该布线构件和各电极之间的连接电阻成分。通常使用金属导线作为该布线构件，但相对于半导体器件全体的内部电阻值，该金属导线的电阻大到无法无视的程度。因此，如果即使使用金属导线也能够降低与金属导线相关的电阻，则还能够降低半导体元件的电极和引线的电极的连接电阻成分。

因此，例如可以考虑金属导线的加粗或多线，但由于相邻的金属导线之间的短路、安装条数和安装空间的限制，所以在技术上会产生难点。特别地如果采用粗线，则变得无法容易地弯曲，循环成本变高。进而，对于半导体元件上的电极和引线的电极之间的距离，为了在设计上具有自由度的同时吸收金属导线的弯曲，作为结果，必须提高半导体器件的整体成本。

另一方面，作为降低金属导线自身的电阻值的方法，可以考虑将形成金属导线的金属材料变更为电阻比金(Au)、铝(Al)低的材料。但是，在该方法中，从成本方面考虑，由于可以使用的金属种类有限，并且接合部分的可靠性不高，因此难以采用。

作为用于解决这样的问题的一个方法，在以下的专利文献1或专利文献2中，为了谋求半导体器件全体的低电阻化，提出了使用具有导电性的平板状的金属材料，将半导体元件的电极和引线的电极电连接起来的半导体器件。即，通过该方法扩大半导体元件的电极和引线的电极之间的电流的流路截面面积，因此能够降低电极和引线之间的电阻。

专利文献1：专利第3240292号公报

专利文献2：特开2002-76195号公报

但是，在上述专利文献1所揭示的发明中，用金属导线将半导体元件的栅电极和引线之间连接起来，因此从以上理由出发，降低半导体器件内部的电阻是有限的。

另外，上述专利文献1和专利文献2主要着眼于通过使用具有导电性的平板状的金属材料来降低半导体器件的电阻，而对于使用了没有使用平板状的金属材料的金属导线的半导体器件，则完全没有揭示降低电阻的方法。进而，在上述专利文献1和专利文献2中，并没有涉及在使用平板状的金属材料的情况下进一步降低电阻的方法。

发明内容

本发明就是为了解决上述问题而提出的，本发明的目的在于：提供一种可靠性高并且容易制造，同时不增大半导体器件的大小就能够进一步降低内部电阻的半导体器件及其制造方法。

本发明的实施例的第一特征在于：在半导体器件中，具备半导体元件、引线、将半导体元件的电极和引线电连接起来的布线构件，布线构件至少被具有导电性的材料覆盖。

本发明的实施例的第二特征在于：在半导体器件中，具备：衬底；设置在衬底上的端子；经由设置在衬底上的贯通孔(through whole)布线与端子电连接的外部电极；形成在端子上的凸点电极；经由凸点(bump)电极与端子电连接的半导体元件；设置在端子、外部电极、凸点电极以及半导体元件上，覆盖与凸点电极连接的电极的金属膜。

本发明的实施例的第三特征在于：在半导体器件的制造方法中，用布线构件将设置在半导体元件上的电极和设置在引线上的电极电连接起来的工序；用导电性材料覆盖布线构件的工序；将半导体元件、引线和被导电性材料覆盖的布线构件密封的工序。

本发明的实施例的第四特征在于：在半导体器件的制造方法中，在塞住设置在衬底上的贯通孔布线的位置上设置外部电极的工序；在能够经由贯通孔布线与外部电极电连接的位置上设置端子的工序；在半导体元件上形成电极的工序；经由凸点电极将电极与端子电连接起来的工序；用导电性材料覆盖外部电极、端子、凸点电极和电极的工序；将形成在衬底上的端子、凸点电极、电极和半导体元件密封的工序。

根据本发明，能够提供一种可靠性高并且容易制造，同时不增大半导体器件的大小就能够进一步降低内部电阻的半导体器件及其制造方法。

附图说明