[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

具有内部电压线的电路块；

环形轨道线，在所述电路块的周围形成封闭环形线并提供有电源电压和参考电压之一；以及

多个开关块，在所述电路块周围沿所述环形轨道线配置，所述多个开关块的每个都包括：电压线段，形成部分所述环形轨道线；和开关，用于控制所述电压线段和所述内部电压线间的连接和断开，

其中在每个所述开关块中，

所述电压线段设置为与所述开关的配置区交叉和位于所述开关的配置区附近的状态之一，

接收并运行从所述电压线段供给的电压的缓冲电路形成在所述开关的配置区和所述电压线段的与所述电路块相反的侧，

第一控制线段设置在所述缓冲电路的输入侧，控制信号经由控制线输入到所述第一控制线段，且

第二控制线段设置在所述缓冲电路的输出侧，所述第二控制线段电连接至所述开关的控制节点，

第一控制线段和第二控制线段关于所述开关块的中心非对称地配置。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，

其中所述多个开关块具有在内部彼此连接的所述电压线段和所述开关，且

在所述多个开关块中，位于块框架的两个相对边的所述电压线段的端边的位置关系设置为相同。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，

其中所述多个开关块具有相同的尺寸，并且所述多个开关块包括对于所述电路块的四个边的四种不同的开关块。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，

其中对于所述多个开关块，决定所述电路块的每个边上配置的开关块的数目，以使随着从所述电路块的四个边中每个边来看的向所述电路块供给所述电源电压和所述参考电压之一的配线阻抗的减小，开关块的数目增加。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路，

其中在所述多个开关块中，作为所述开关的晶体管的栅极的长度方向相同。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路，

其中所述环形轨道线的与所述电路块的四个边中一对相对边平行的配线部分和所述环形轨道线的与所述电路块的四个边中另一对相对边平行的配线部分由在不同阶层的配线层形成。

7.一种半导体集成电路，包括：

具有内部电压线的电路块；

第一环形轨道线，在所述电路块周围形成封闭环形线并提供有电源电压和参考电压之一；

第二环形轨道线，在所述电路块周围形成封闭环形线并在所述第一环形轨道线和所述电路块间的多个位置处连接至所述内部电压线；以及

多个开关块，在所述电路块周围沿所述第一环形轨道线和所述第二环形轨道线配置，所述多个开关块的每个都包括：第一电压线段，形成部分所述第一环形轨道线；第二电压线段，形成部分所述第二环形轨道；和开关，连接在所述第一电压线段和所述第二电压线段之间，

其中在每个所述开关块中，

所述电压线段设置为与所述开关的配置区交叉和位于所述开关的配置区附近的状态之一，

接收并运行从所述电压线段供给的电压的缓冲电路形成在所述开关的配置区和所述电压线段的与所述电路块相反的侧，

第一控制线段设置在所述缓冲电路的输入侧，控制信号经由控制线输入到所述第一控制线段，且

第二控制线段设置在所述缓冲电路的输出侧，所述第二控制线段电连接至所述开关的控制节点，

第一控制线段和第二控制线段关于所述开关块的中心非对称地配置。

8.根据权利要求7所述的半导体集成电路，

其中在所述多个开关块中，所述第一电压线段、所述第二电压线段和所述开关之间的相互位置关系是一致的。

9.根据权利要求7所述的半导体集成电路，

其中在所述多个开关块中，在块框架的两个相对边的所述第一电压线段和所述第二电压线段的端边的位置关系设定为相同。