[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法无效
申请号: | 200810149963.2 | 申请日: | 2008-10-17 |
公开(公告)号: | CN101414584A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 鱼屋皇作 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/31;H01L21/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括具有形成在一侧上的外部连接端子的半导体芯片,
其中覆盖层形成在所述半导体芯片的另一侧上,以及
所述覆盖层的端部的至少一部分在所述半导体芯片的脊线部分的外面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中形成所述覆盖层以便覆盖所述半导体芯片的脊线部分。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中在所述半导体芯片的一侧上提供的接合垫通过布线层连接到所述外部连接端子。
4.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述半导体芯片的接合垫连接到所述外部连接端子。
5.一种由半导体晶片制造半导体器件的方法,在半导体晶片的一侧上提供外部连接端子,以及在所述半导体晶片的另一侧上提供覆盖层,所述方法包括:
在所述半导体晶片中,从所述一侧到至少在所述半导体晶片和所述覆盖层之间的界面,形成具有第一宽度的凹槽;以及
用第二宽度从所述凹槽的底面切割所述覆盖层,
其中所述第二宽度比所述第一宽度窄。
6.根据权要求5所述的制造半导体器件的方法,包括在用所述第二宽度从所述凹槽的底面切割所述覆盖层之后,使所述覆盖层的端部在形成外部连接端子的一侧的方向上弯曲。
7.根据权要求6所述的制造半导体器件的方法,其中通过热处理执行使所述覆盖层弯曲。
8.根据权要求5所述的制造半导体器件的方法,其中执行形成具有所述第一宽度的凹槽以通过所述半导体晶片到达所述覆盖层的中间。
9.根据权要求5所述的制造半导体器件的方法,其中通过刀片切割或激光切割执行在所述半导体晶片中形成所述凹槽或切割所述覆盖层。
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