[发明专利]导模法生长3″×9″片状氧化铝单晶体无效
| 申请号： | 200810153130.3 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101736396A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 滑芬;赵岩;秦承安;张贵芹 | 申请（专利权）人： | 天津市硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B15/24;C30B29/20;C30B29/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300111*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导模法 生长 片状 氧化铝 单晶体 | ||
【权利要求书】：
1.本发明涉及Ф100-Ф120mm大尺寸钼质坩埚；高质量锻压钼材加工特定构型的晶体生长模具。
2.根据权利要求1设计和建立高效加热系统--由高效加热感线圈及钼质发热装置组成。
3.根据权利要求1设计和建立高效保温系统-由氧化锆材料制作保温套筒。
4.根据权利要求1设计和建立温场调节系统--定型钼板及钼质温度调节屏。
5.根据权利要求1确立晶体生长高温区横向温度场的温差范围在±3℃以内、在模具端面之上15mm范围之内纵向温度梯度5-6℃/mm的工艺条件。
6.一次成型的导模法晶体生长技术生长3″×9″晶体材料的工艺条件：原料、籽晶、晶体生长参数。
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