[发明专利]较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷，由基料Ag₂O、Nb₂O₅和Ta₂O₅以及添加剂CaF₂和B₂O₃组成，其原料组分及其质量百分比含量为：Ag₂O 40～45％、Nb₂O₅ 35～46％、Ta₂O₅ 9～25％，外加添加剂CaF₂ 3～7％、B₂O₃ 2.5～8％。

2.权利要求1的较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：

(1)按原料质量百分比含量Nb₂O₅ 35～46％、Ta₂O₅ 9～25％配料，将其混合球磨2～4小时后，于干燥箱中烘干；

(2)将烘干后的粉料煅烧3～6小时，合成(Nb，Ta)₂O₅前驱体；

(3)按原料质量百分比含量为40～45％的Ag₂O，55～60％的(Nb，Ta)₂O₅进行二次配料，混合球磨2～5小时后烘干，煅烧8～12小时，合成熔块Ag(Nb，Ta)O₃；

(4)以Ag(Nb，Ta)O₃质量百分比含量为100％计，在Ag(Nb，Ta)O₃熔块中外加质量百分比含量为3～7％的CaF₂和2.5～8％的B₂O₃，球磨，烘干，制得高介低损耗介质陶瓷粉料；

(5)将步骤(4)制得的高介低损耗介质陶瓷粉料进行造粒，压制生坯；

(6)烧结生坯，制得高介低损耗介质陶瓷。

3.根据权利要求2的较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的煅烧温度为1200～1400℃。

4.根据权利要求2的较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的煅烧温度为950～1100℃。

5.根据权利要求2的较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)的球磨时间为4～8小时。

6.根据权利要求2的较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)压制的生坯直径为10mm，厚度为1mm～1.5mm。

7.根据权利要求2的较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)的烧结制度为：经2～4小时升温到400～600℃，保温2小时，再以10℃/min的速度升温到950～1000℃，保温2～6小时。