[发明专利]一种Cu-P基非晶钎料及其制备方法无效
申请号: | 200810156562.X | 申请日: | 2008-10-06 |
公开(公告)号: | CN101367159A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 邹家生;王超;赵其章;吕思聪 | 申请(专利权)人: | 江苏科技大学 |
主分类号: | B23K35/30 | 分类号: | B23K35/30;C22C1/03 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212003江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cu 基非晶钎 料及 制备 方法 | ||
1.一种Cu-P基非晶钎料,其特征在于:该钎料的组分及含量(按质量百分比)为:P为7.0-8.0%,Ni为14.0%,Sn为5.0%,Zr为0.02-0.06%,Si为0.2%;其余为Cu,各组分质量百分比之和为100%;所述的Si、P为Cu-Si、Cu-P中间合金,其中,Cu-Si中间合金中Si的质量分数为12-18%,Cu-P中间合金中P的质量分数为10-15%。
2.根据权利要求1所述的一种Cu-P基非晶钎料,其特征在于:所述的Cu、Sn和Ni的纯度均为99.9%以上,Zr的纯度为99.99%。
3.制备权利要求1所述的一种Cu-P非晶钎料的方法,包括下述步骤:
步骤1.配方:将锆、铜、锡、镍和铜硅、铜磷中间合金原材料粉碎,配比;
步骤2.装料:将上述配料置于电弧炉中,电弧炉的5个铜坩埚,其中一个铜坩埚中放入一块纯Ti试样,其余四个铜坩埚放入四种同配方或不同配方的配料;
步骤3.抽真空:先将炉内抽真空至10-2Pa,充氩气洗炉3-4次后,再抽真空至10-2Pa,充氩气至-0.06MPa;
步骤4.去氧:将放入铜坩埚中的一块纯Ti试样熔炼3-4次,以去除气氛中残留的氧;
步骤5.熔炼:为了使铸态合金均匀,将铜坩埚内的配料在电磁搅拌作用下反复熔炼3-4次,并使用反倒拔棍翻转配料,即获得熔炼后的试样;
步骤6.称重:对试样进行称重,若发现试样的失重在0.1%以内,则可认为合金实际成分与名义成分基本一致,即为制备的非晶钎料的母合金;
步骤7.将母合金粉碎,装入甩带机的石英玻璃管内;
步骤8.开启炉门,将石英玻璃管夹装在甩带机的感应加热圈中,并将石英玻璃管的喷嘴至铜辊表面间距调整为0.8-1mm;
步骤9.关闭炉门,先采用机械泵抽真空至5.6×10-1Pa,然后用分子泵抽高真空至7.5×10-4Pa;
步骤10.打开充气阀,向炉内充入市购的99.99%高纯Ar气至-0.05MPa;
步骤11.开启电机,设定铜辊转速为38-41m/s;开启高频电源,将石英玻璃管内的母合金高频感应加热至完全均匀熔融,其熔喷温度为1173-1273K;
步骤12.将前述氩气压力调至50kPa,打开石英玻璃管的充气阀,氩气充入石英玻璃管内,将过热熔体从石英玻璃管的喷嘴吹出,连续喷射到高速旋转的冷却铜辊表面,液态金属由于受到急冷而成箔带状,从而得到非晶钎料。
4.根据权利要求3所述的制备权利要求1所述的一种Cu-P非晶钎料的方法,其特征在于:所述的步骤2中所述的电弧炉为WS-2型高真空Ar气氛保护非自耗电弧炉。
5.根据权利要求3所述的制备权利要求1所述的一种Cu-P非晶钎料的方法,其特征在于:所述的步骤7中所述的甩带机为HVDS-II高真空单辊甩带机。
6.根据权利要求3所述的制备权利要求1所述的一种Cu-P非晶钎料的方法,其特征在于:所述的步骤7、步骤8、步骤11、步骤12中所述的石英玻璃管的端部开有的一长方形小孔,也称喷嘴,其长度为6-8mm;宽度为0.5-1mm。
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