[发明专利]热处理方法以及热处理装置有效
申请号: | 200810161425.5 | 申请日: | 2008-09-25 |
公开(公告)号: | CN101399173A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 井上久司;松本俊一;竹内靖 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/673;F27D5/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种热处理方法,在基板保持件上沿上下方向以规定间隔搭载多块被处理基板,将该基板保持件搬入热处理炉内,对被处理基板进行规定的热处理,其特征在于,包括:
在所述基板保持件上配置被处理基板,以使上下相邻的被处理基板背面对背面或表面对表面的工序;以及
将被处理基板表面之间的间隔设定为能够确保处理均匀性的间隔,将被处理基板背面之间的间隔设定为比表面之间的间隔小的工序,
所述基板保持件由2个保持件构成体构成,各保持件构成体沿上下方向以规定间隔设有多个支撑被处理基板周边部的基板支撑部,并具有配置在同一圆周上的多根支柱,
在一个保持件构成体上搭载将表面作为上表面的被处理基板,在另外一个保持件构成体上搭载将背面作为上表面的被处理基板,并以使上下相邻的被处理基板背面对背面和表面对表面交替的方式配置被处理基板;
通过使2个保持件构成体沿着上下方向相对移动,将被处理基板表面之间的间隔设定为能够确保处理均匀性的间隔,将被处理基板背面之间的间隔设定为比表面之间的间隔小。
2.如权利要求1所述的热处理方法,其特征在于:
还具有使所述2个保持件构成体沿着圆周方向相对旋转的工序,由此,各保持件构成体的支柱以比该被处理基板直径小的间隔包围所述被处理基板的周边部。
3.一种热处理装置,具备沿着上下方向以规定间隔搭载多块被处理基板的基板保持件、和搬入该基板保持件并对被处理基板进行规定的热处理的热处理炉,其特征在于:
所述基板保持件具有多个基板支撑部,该基板支撑部支撑被处理基板的周边部,以使上下相邻的被处理基板背面对背面和表面对表面交替配置,各基板支撑部以使被处理基板表面之间的间隔形成能够确保处理均匀性的间隔,并使被处理基板背面之间的间隔比表面之间的间隔小的方式构成,
所述基板保持件由2个保持件构成体构成,各保持件构成体沿上下方向以规定间隔设有多个支撑被处理基板周边部的基板支撑部,并具有配置在同一圆周上的多根支柱,
在一个保持件构成体的基板支撑部上搭载将表面作为上表面的被处理基板,在另外一个保持件构成体的基板支撑部上搭载将背面作为上表面的被处理基板,如果组装2个保持件构成体,则上下相邻的被处理基板以背面对背面和表面对表面交替的方式配置;
2个保持件构成体通过上下移动机构能够沿着上下方向相对移动,使被处理基板表面之间的间隔形成为能够确保处理均匀性的间隔,使被处理基板背面之间的间隔形成为比表面之间的间隔小。
4.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:
在封闭所述热处理炉炉口的盖体上设置有具有旋转轴的基板保持件用旋转机构,
所述上下移动机构具备贯通基板保持件用旋转机构并进行升降移动的旋转轴的升降轴、和使该升降轴升降移动的升降驱动部。
5.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:
在封闭所述热处理炉炉口的盖体上设置有保温筒,
所述上下移动机构具备升降机构和卡止机构,其中,该升降机构相对热处理炉搬入搬出所述基板保持件的一个保持件构成体和另外一个保持件构成体,该卡止机构在通过该升降机构从热处理炉搬出基板保持件时,卡止另外一个保持件构成体,恢复与一个保持件构成体在上下方向的相对位置关系。
6.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:
还具有使所述2个保持件构成体沿着圆周方向相对转动的转动机构,由此,保持件构成体的所述支柱以小于该被处理基板直径的间隔包围所述被处理基板周边部。
7.如权利要求6所述的热处理装置,其特征在于:
在封闭所述热处理炉炉口的盖体上设置有具有旋转轴的基板保持件用旋转机构,所述旋转机构由贯通旋转轴并进行升降移动的升降轴构成,该升降轴自由旋转。
8.如权利要求6所述的热处理装置,其特征在于:
所述转动机构由卡止机构和基板保持件用旋转机构构成,其中,该卡止机构在从热处理炉搬出基板保持体时,卡止一个保持件构成体,恢复与另外一个保持件构成体在上下方向的相对位置关系,该基板保持件用旋转机构相对于卡止在该卡止机构上的另外一个保持件构成体,使一个保持件构成体沿着圆周方向仅转动规定角度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造