[发明专利]热处理方法以及热处理装置

说明书

相关申请的参照

本专利申请享受2007年9月26日提出的日本申请“特愿2007-249039”以及“特愿2007-249040”的权益，引入这些在先申请的全部公开内容，作为本说明书的一部分。

技术领域

本发明涉及一种热处理方法以及热处理装置，尤其涉及一种确保处理均匀性，并且增加处理块数的技术。

背景技术

在制造半导体装置时，为了对被处理基板，例如半导体晶片(下表面，也称为晶片)进行氧化、扩散、CVD(Chemical Vapor Deposition)等处理，使用各种处理装置(半导体制造装置)。而且，作为其中一种处理装置，可以一次对多块被处理基板进行热处理的立式热处理装置为众所周知。

该热处理装置具备：热处理炉，沿上下方向且以规定间隔保持多块晶片并相对所述热处理炉可以搬入搬出的作为基板保持件的晶片舟(例如，参照引用文献1)。另外，在上述热处理炉下方形成的加载区(作业领域)中安装有升降机构和移载机构等，其中，升降机构在借助作为炉口隔热部件的保温筒将上述晶片舟载置到封闭上述热处理炉炉口的盖体上部的状态下，使盖体上升下降，向炉内搬入晶片舟以及对加载区搬出晶片舟，移载机构在搬入到加载区的晶片舟与可收纳多块晶片的收纳容器之间移载晶片。

上述晶片舟构成为，在底板和顶板之间设置多根支柱，在这些支柱上沿着上下方向且以规定间隔(间距)形成支撑晶片周边部的槽状或者突状基板支撑部。尤其，所有的晶片以被处理面的表面作为上表面的状态搭载到上述晶片舟上。

但是，在上述热处理装置中，在晶片舟上搭载的晶片块数的间距宽度根据处理面内以及面间的均匀性的观点以及移载观点定为最小值，难以增加搭载块数。而且，若为了进一步增强处理面内以及面间的均匀性而增大上述间距大小，则搭载块数减少。

[专利文献1]：日本特开2001-223254号公报

发明内容

本发明解决上述以往技术存在的问题，其目的在于提供一种确保处理均匀性的同时，能够相比以往增加基板保持件搭载块数的热处理方法以及热处理装置。

本发明提供一种热处理方法，在基板保持件上沿上下方向且以规定间隔搭载多块被处理基板，将该基板保持件搬入热处理炉内，对被处理基板进行规定热处理，其特征在于，具备：在上述基板保持件上配置被处理基板，从而使上下相邻的被处理基板背面对背面或表面对表面的工序；将被处理基板表面之间的间隔设定为能够确保处理均匀性的间隔，设定被处理基板背面之间的间隔小于表面之间的间隔的工序。

本发明的热处理方法的特征在于，上述基板保持件由2个保持件构成体构成，各保持件构成体沿上下方向以规定间隔设有多个支撑被处理基板周边部的基板支撑部，并具有配置在同一圆周上的多根支柱，在一个保持件构成体上搭载将表面作为上表面的被处理基板，在另外一个保持件构成体上搭载将背面作为上表面的被处理基板，并以使上下相邻的被处理基板背面对背面和表面对表面交替的方式配置被处理基板；通过使2个保持件构成体沿着上下方向相对移动，将被处理基板表面之间的间隔设定为能够确保处理均匀性的间隔，将被处理基板背面之间的间隔设定为比表面之间的间隔小。

本发明的热处理方法的特征在于，另外具备：使上述2个保持件构成体沿着圆周方向相对旋转的工序，从而，各保持件构成体的支柱以小于该被处理基板直径的间隔包围上述被处理基板周边部。

本发明提供一种热处理装置，具备：沿着上下方向且以规定间隔搭载多块被处理基板的基板保持件、和搬入该基板保持件且对被处理基板进行规定热处理的热处理炉，其特征在于，上述基板保持件具有多个基板支撑部，其中，该基板支撑部支撑被处理基板的周边部，从而，使上下相邻的被处理基板以背面对背面和表面对表面交替的方式配置；以使被处理基板表面之间的间隔形成能够确保处理均匀性的间隔，并使被处理基板背面之间的间隔小于表面之间的间隔的方式构成各基板支撑部。

本发明的热处理装置的特征在于，上述基板保持件由2个保持件构成体构成，各保持件构成体具有配置在同一圆周上的多根支柱，其中，该支柱上沿上下方向且以规定间隔设置多个有支撑被处理基板周边部的基板支撑部；一个保持件构成体的基板支撑部支撑将表面作为上表面的被处理基板，另外一个保持件构成体的基板支撑部支撑将背面作为上表面的被处理基板，组装2个保持件构成体，则上下相邻的被处理基板以背面对背面和表面对表面交替的方式配置；通过上下移动机构使2个保持件构成体沿着上下方向相对移动，使被处理基板表面之间的间隔形成能够确保处理均匀性的间隔，使被处理基板背面之间的间隔小于表面之间的间隔。