[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200810161485.7 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101436633A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 塚越功二 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨本良;文 琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体发光器件，包括：
具有凹部的基部；
设置在所述凹部中的发光元件；
填充在所述凹部中的树脂；以及
包含荧光粉的树脂层，该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质，并且设置成封闭所述凹部的开口部分，
其中，所述包含荧光粉的树脂层具有比填充在所述凹部中的所述树脂低的热膨胀系数。
2.根据权利要求1的半导体发光器件，其中所述包含荧光粉的树脂层具有比填充在所述凹部中的所述树脂高的交联密度。
3.根据权利要求1或2的半导体发光器件，其中所述发光元件包括氮化物半导体发光器件。
4.根据权利要求1或2的半导体发光器件，还包括设置在所述凹部中的反射部分，其被构造成反射从所述发光元件发射的光。
5.根据权利要求4的半导体发光器件，其中所述反射部分包含银。
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