[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体元件区域、第4半导体区 域和沟道；

所述半导体元件区域配设在基板中央部，具有互相间隔的第1导电型的第 1半导体区域和第2半导体区域，具有第3半导体区域，所述第3半导体区域 被设置成露出于所述第1半导体区域和所述第2半导体区域之间的所述基板的 主面并且具有与所述第1导电型相反的第2导电型；

所述第4半导体区域被设置成比所述基板中央部更多地在基板的端侧的 主面上露出，与所述第3半导体区域电连接，并且在与所述第3半导体区域相 同条件下形成，具有与所述第3半导体区域相同的导电型；

在所述第4半导体区域内从所述第4半导体区域的主面至不满其结深的范 围内形成所述沟道。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述沟道内部中埋 设介电体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述沟道沿着从所 述基板中央部向着所述基板的端部的第1方向延伸，在与所述第1方向交叉的 第2方向上形成多个排列的平面条纹形状。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述沟道沿着与从 所述基板中央部向着所述基板的端部的第1方向相交叉的第2方向延伸，在所 述第1方向上形成多个排列的平面条纹形状。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述沟道沿着从所 述基板中央部向着所述基板的端部的第1方向形成多个排列的同时，还在与所 述第1方向相交叉的第2方向上形成多个排列的平面点形状。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述第4半导体 区域内，与所述基板的端部相比，所述沟道更密集地配设在所述半导体元件区 域侧。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述第4半导体 区域内，与所述半导体元件区域侧相比，所述沟道更密集地配设在所述基板的 端部。

8.一种半导体装置，其特征在于，具备：第1半导体区域、第2半导体 区域、第3半导体区域、电极、第4半导体区域和沟道，其中，

所述第1半导体区域和第2半导体区域被配设在基板上，互相间隔，并且 具有第1导电型；

所述第3半导体区域被配设成露出于所述第1半导体区域和所述第2半导 体区域之间的所述基板的主面，具有与第1导电型相反的第2导电型；

在所述第3半导体区域的外侧的所述基板主面上露出的所述第1半导体区 域上配设所述电极；

所述第4半导体区域被配设成露出于所述电极的所述第1半导体区域与所 述第2半导体区域之间的所述基板的主面，与所述第3半导体区域相同条件形 成并具有与所述第3半导体区域相同的导电型；

在所述第4半导体区域内从所述第4半导体区域的主面至不满其结深的范 围内形成所述沟道。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述 沟道下的所述第4半导体区域与所述基板的纵截面的总电荷量相等。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：形成半导体元件区 域的工序、形成第4半导体区域的工序和形成沟道的工序；

在所述形成半导体元件区域的工序中，在基板中央部形成互相间隔的第1 导电型的第1半导体区域和第2半导体区域，在所述第1半导体区域和所述第 2半导体区域之间形成露出于所述基板主面的与所述第1导电型相反的第2导 电型的第3半导体区域；

在所述形成第4半导体区域的工序中，用与所述第3半导体区域相同的制 造工序形成与所述第3半导体区域为相同导电型的第4半导体区域，使得所述 第4半导体区域比所述基板中央部更多地在基板的端侧的所述基板主面上露 出，并与所述第3半导体区域电连接；

在所述形成沟道的工序中，在所述第4半导体区域内在从所述第4半导体 区域的主面至不满其结深的范围内形成沟道。