[发明专利]微电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种同时制造合并的沟槽和间隔开的沟槽的方法，所述合并的沟槽和间隔开的沟槽从衬底的主表面向下延伸到单晶半导体衬底中，所述主表面限定了与所述半导体衬底的给定晶向对准的平面，所述方法包括以下步骤：

在覆盖所述衬底的掩模层中构图第一间隔开的开口和第二间隔开的开口，所述第一和第二开口中的每一个都具有给定的长度、给定的宽度，并且所述第一开口的邻近的开口的中心之间的距离和所述第二开口的邻近的开口的中心之间的距离均为X，所述第一开口的所述中心与所述衬底的第一晶向对准，并且所述第二开口的所述中心与不同于所述第一晶向的所述衬底的第二晶向对准；以及

根据所述第一和第二开口同时蚀刻所述衬底以限定合并的第一沟槽和间隔开的第二沟槽，所述合并的第一沟槽共同限定了单个的内部体积，以及所述间隔开的第二沟槽每一个都限定了单独的分离的内部体积。

2.根据权利要求1的方法，其中所述主平面限定的所述平面与所述半导体衬底的<100>晶面或<110>晶面中的一个对准。

3.根据权利要求1的方法，其中所述第一沟槽的中心与<100>晶向中的至少一个对准，并且所述第二沟槽的中心与<111>晶向或<110>晶向中的至少一个对准。

4.根据权利要求1的方法，其中所述主平面限定的所述平面与所述衬底的<110>晶面对准。

5.根据权利要求4的方法，其中所述第一和第二沟槽的中的每一个沟槽的至少一部分具有六边形的形状并且在所述第一沟槽的锐角拐角处重叠所述第一沟槽。

6.根据权利要求1的方法，其中所述主平面限定的所述平面与所述衬底的<100>晶面对准。

7.根据权利要求6的方法，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽中的每一个沟槽的至少一部分具有矩形的形状并且在所述第一沟槽的单独的沟槽的拐角处合并所述第一沟槽。

8.一种包括根据权利要求1的方法的制造沟槽电容器的方法，还包括形成第一沟槽电容器和多个第二沟槽电容器，所述第一沟槽电容器沿所述第一沟槽的壁延伸并且所述第二沟槽电容器沿所述第二沟槽的各沟槽的壁延伸。

9.根据权利要求8的制造沟槽电容器的方法，其中根据所述第一和第二开口同时蚀刻所述衬底以限定合并的第一沟槽和间隔开的第二沟槽包括以依赖于所述衬底的晶向的方式蚀刻所述第一和第二沟槽的壁，以便所述壁变得更加对准所述衬底的所述晶向。

10.根据权利要求9的制造沟槽电容器的方法，其中蚀刻与所述半导体衬底的<100>晶面对准的所述第一和第二沟槽的壁的速率比蚀刻与所述半导体衬底的至少一个其它的晶面对准的所述第一和第二沟槽的壁的速率大。

11.根据权利要求10的制造沟槽电容器的方法，其中使用各向异性蚀刻剂蚀刻所述第一和第二沟槽的所述壁。

12.一种包括半导体衬底的微电子部件，所述部件包括：

多个合并的第一沟槽，其共同限定了单个的内部体积；以及

多个间隔开的第二沟槽，其每一个限定了单独的分离的内部体积，

每个所述合并的第一沟槽和间隔开的第二沟槽从所述衬底的主表面向下延伸，所述主表面限定了与给定的晶向对准的平面，所述合并的第一沟槽的邻近的沟槽的中心之间的距离和所述间隔开的第二沟槽的邻近的沟槽的中心之间的距离均为X，所述合并的第一沟槽的所述中心与第一晶向对准并且所述第二沟槽的所述中心与不同于所述第一晶向的第二晶向对准。

13.根据权利要求12的微电子部件，其中所述第一沟槽的所述中心与<100>晶向中的至少一个对准，并且所述第二沟槽的所述中心与<111>晶向或<110>晶向中的至少一个对准。

14.根据权利要求12的微电子部件，其中所述主平面限定的所述平面与所述半导体衬底的<110>晶面对准。

15.根据权利要求14的微电子部件，其中所述第一和第二沟槽中的每一个沟槽的至少一部分具有六边形的形状并且在所述第一合并的沟槽的单独的沟槽的锐角拐角处重叠所述第一合并的沟槽。