[发明专利]半导体芯片模块无效
申请号: | 200810161798.2 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101685806A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 刘台徽 | 申请(专利权)人: | 太聚能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L31/052;H01L31/024 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 模块 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体芯片模块,特别是涉及一种半导体芯片的电极直接接触散热结构的半导体芯片模块。
背景技术
图1A显示已知太阳能芯片模块1的侧视图;图1B显示已知太阳能芯片16位于基板14上的俯视图。如图1A及1B所示,太阳能芯片模块1包含基座12;放置于基座12上的基板14及放置于基板14上的太阳能芯片16。
基板14依序由金属层141、绝缘层142及导电接点143堆叠而成,而导电接点143并未完全覆盖绝缘层142。太阳能芯片16放置于绝缘层142上,并与导电接点143具有间隙。太阳能芯片模块1利用引线18以引线方式使太阳能芯片16与导电接点143电性相接。
已知太阳能芯片模块1是利用基座12排散热量。基座12是以热传导良好的金属板材所制成,如铝、铜。当聚焦太阳光于太阳能芯片16时,热量会逐渐累积,使得芯片温度上升,太阳能芯片16的热量通过传导方式,穿过绝缘层142而传递至基座12上,由基座12散热。
上述太阳能芯片模块1的散热有几个缺点:
穿过绝缘层142而传递至基座12的热量,因绝缘层142一般皆较厚,散热效率差,故热量传递至基座12效率甚差。
基板14制作材料价格高,故太阳能芯片模块1的制作成本甚高。
由于已知太阳能芯片模块1具有上述缺点,故本发明即针对此,提供一种解决方法,以有效改善已知技术的缺点。
发明内容
鉴于以上的问题,本发明目的在于提供一种半导体芯片模块,将半导体芯片直接接触于散热结构上,使芯片上的热量直接传递至散热结构,可有效提升散热效果,且不需已知的基板,可节省制作成本,以解决先前技术所存在的问题或缺点。
本发明提供一种半导体芯片模块,包含:导电框架,具有内缘及外缘,内缘定义开口;可挠性排线,具有导体层,导体层电连接导电框架的外缘;半导体芯片,定义前侧及后侧,半导体芯片具有第一电极及第二电极分别位在前侧及后侧,第一电极连接导电框架的内缘以使半导体芯片位于导电框架下方,半导体芯片暴露于开口中;及散热结构,承载半导体芯片,散热结构直接接触第二电极,以提升半导体芯片的散热效率。
本发明的半导体芯片模块,采分离设置的散热结构取代已知的基板技术,如此不需使用已知的基板,可节省制造成本。此外,也可随意改变散热结构的尺寸及形状,以提升散热效率。
以下详细叙述本发明的特征以及优点,其内容足以使任何本领域一般技术人员了解本发明的技术内容并据以实施,且根据本说明书所披露的内容、权利要求及附图,任何本领域一般技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。
附图说明
图1A显示已知太阳能芯片模块的侧视图。
图1B显示已知太阳能芯片位于基板上的俯视图。
图2A为依据第一实施例显示本发明半导体芯片模块俯视图。
图2B为半导体芯片模块沿图2A的由A-A’虚线的剖面图。
图3为半导体芯片模块的导电框架、可挠性排线及半导体芯片的结构爆炸图。
图4A为依据第二实施例显示本发明半导体芯片模块的俯视图。
图4B为半导体芯片模块由图4A箭头方向的侧视图。
图5A为依据第三实施例显示本发明半导体芯片模块的俯视图。
图5B为半导体芯片模块由图5A所示箭头方向的侧视图。
图6A为依据第四实施例显示本发明半导体芯片模块的俯视图。
图6B为半导体芯片模块由图6A所示箭头方向的侧视图。
图7A为依据第五实施例显示本发明半导体芯片模块的俯视图。
图7B为半导体芯片模块由图7A所示箭头方向的侧视图。
附图标记说明
1太阳能芯片模块 12基座
14基板 141金属层
142绝缘层 143导电接点
16太阳能芯片 18引线
2半导体芯片模块 21导电框架
211内绿 212外缘
213开口 22可挠性排线
221导体层 222绝缘层
23半导体芯片 23a前侧
23b后侧 231第一电极
231a中心部分 231b周围部分
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