[发明专利]TFT阵列电路板及其制造方法

说明书

本申请是申请号为200310115221.5、申请日为2003年11月20日、发明名称为“TFT阵列电路板及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及一种TFT阵列电路板及其制造方法，更详细地说是关于用于液晶显示装置一电路板的TFT阵列电路板及其制造方法。 

背景技术

液晶显示装置是目前使用最广泛的平板显示装置之一，由具备电极的两张电路板和充填在其间的液晶层构成，通过给电极施加电压使液晶层的液晶分子重新排列来调整所透过光量的显示装置。 

液晶显示装置中目前主要使用的是在两个电路板上分别形成电极，由TFT控制施加到电极上电压的液晶显示装置，一般TFT只在两个电路板一个上面形成。 

这时，随着液晶显示装置大型化，像素的大小也随之变大，因此分辨率下降，为了防止此现象，控制每个像素的TFT应具有高电流驱动能力，为了达到此目的，最好确保宽的TFT频宽。 

另外，TFT阵列电路板通过光学蚀刻工序制造。当TFT阵列电路板有效面积(active area)比掩膜大时，为了在这有效面积形成光栅，需要有分割曝光对有效面积(active area)进行分割并进行重复步骤(step and repeat)工序，但在实际的分割曝光中会发生掩膜的位移(shift)，旋转(rotation)，失真(distortion)等偏差，因此会产生位于相互不同层布线和像素电极之间的寄生电容差。结果曝光分割区域间出现不同显示特征，特别是在分割曝光区域边界部分，当画面亮度差较大时会出现针脚现象。 

发明内容

本发明要实现的一个目的是提供一种具有宽频TFT的TFT阵列电路板(panel，面板)。 

还有，本发明另一目的是提供一种把针脚现象最小化的TFT阵列电路板制造方法。 

根据本发明的TFT阵列电路板，布置在每个像素上的像素电极上连接了两个TFT，制作过程中实施分割曝光时使分割曝光区域的边界线置于两个TFT之间再进行光学蚀刻工序形成光栅。 

更详细地说，根据本发明的TFT阵列电路板，在绝缘电路板上形成包括栅极线、与栅极线连接且具有第一栅极部分及第二栅极部分栅极的栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。在栅极绝缘层上部形成包含位于第一栅极部上面的第一半导体部分和位于第二栅极部分上面的第二半导体部分半导体层，并形成包括与栅极线交叉的数据线、与数据线连接且包括与第一半导体部分邻接的第一源极部分和与第二半导体部分邻接的第二源极部分源极，包括以第一栅极部分为中心与第一源极部分相对设置，与第一半导体部分邻接的第一漏极部分和以第二栅极部分为中心与第二漏极部分相对设置，与第二半导体部分邻接的第二漏极部分漏极的数据配线，还形成与漏极连接的像素电极。

第一栅极部分，第一半导体部分，第一源极部分及第一漏极部分与第二栅极部分，第二半导体部分，第二源极部分及第二漏极部分分别以分割曝光区域的边界线为中心分布于两侧。 

这时，包括栅极，漏极，源极及半导体层的TFT可能只布置在邻接于分割曝光区域边界线部分像素上，分别位于第一及第二源极和第一及第二漏极之间的第一及第二半导体部分的通道部分优选采用C字形。 

这种根据本发明的TFT阵列电路板制造方法当中，首先在电路板上形成包括栅极线及包含第一栅极部分与第二栅极部分栅极的栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着，在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，并形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分与第二漏极部分漏极的数据布线，形成与漏极连接的像素电极。这时，栅极布线、数据布线或半导体层利用分割曝光光学蚀刻工序形成，进行分割曝光时使分割曝光区域的边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间，或第一半导体部分和第二半导体部分之间，或第一源极与第二源极之间，或第一漏极与第二漏极之间。 

附图说明

图1是根据本发明第一实施例中用于液晶显示装置的TFT电路板结构配置图； 

图2是在图1中沿着II-II’线横截图示的横截面图； 

图3A，4A，5A及6A是根据本发明实施例中制造用于液晶显示装置的TFT电路板时其中间过程的TFT电路板配置图； 

图3B是在图3A中沿着IIIB-IIIB’线横截的横截面图；