[发明专利]半导体处理用的成膜装置

权利要求书

1.一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于，包括：

以在上下设置间隔而进行层叠的状态容纳多个被处理基板的方式 构成的反应室；

具有按照在所述反应室内支承所述被处理基板的方式设定的多个 支承层的支承部件；

配置在所述反应室的周围的用于加热所述被处理基板的加热器；

将成膜气体供给所述反应室的成膜气体供给系统，所述成膜气体 供给系统包括按照遍及所述支承部件的所述支承层的全体的方式隔开 规定间隔形成有多个气体喷射孔的气体分散喷嘴；

供给对附着在所述反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的 清洁气体供给系统；和

对所述反应室内进行排气的排气系统，所述排气系统包括配置在 隔着所述支承部件与所述气体分散喷嘴相对的位置上的排气口，其中，

所述清洁气体供给系统包括在上端具有在所述反应室的底部附近 指向上方的气体供给口的气体喷嘴，所述气体供给口位于比所述支承 部件的所述支承层的最下层还靠下，且比所述排气口的下端部还靠下 的位置，

所述气体喷嘴配置在隔着所述支承部件与所述排气口相对的位置 上。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述排气口的所述下端部位于比所述支承层的所述最下层靠上的 位置。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述排气系统包括利用隔壁与容纳所述被处理基板的处理空间隔 开的排气空间，所述排气口沿着垂直方向在所述隔壁上形成，并连通 所述处理空间和所述排气空间。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于：

所述排气口具有沿着垂直方向隔开规定间隔在所述隔壁上形成的 多个排气孔。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

还包括安装在所述反应室的外侧、形成通过出口开口与容纳所述 被处理基板的处理空间连通的等离子体生成空间的等离子体生成部， 所述成膜气体供给系统包括：不经过所述等离子体生成部，将第一成 膜气体供给所述处理空间的第一成膜气体供给系统；和经过所述等离 子体生成部将第二成膜气体供给所述处理空间的第二成膜气体供给系 统。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于：

所述气体喷嘴具有在隔着所述支承部件与所述排气口相对的位 置、并且在所述等离子体生成部的所述出口开口的两侧分别配置的两 个气体喷嘴。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

还包括控制所述装置的动作的控制部，所述控制部被预设定成对 容纳有没有支承所述被处理基板的所述支承部件的所述反应室进行除 去所述副生成物膜的清洁处理，在此，将所述清洁气体从所述清洁气 体供给系统供给所述反应室内，并且，利用所述排气系统对所述反应 室内进行排气。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

还包括控制所述装置的动作的控制部，所述控制部被预设定成进 行通过CVD在所述反应室内容纳的所述被处理基板上形成薄膜的成膜 处理，在此，将第一和第二成膜气体交替地反复供给所述反应室内。