[发明专利]半导体处理用的成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及在半导体晶片等被处理基板上形成氮化硅膜等的薄膜 的半导体处理用的成膜装置。所谓半导体处理表示通过在晶片或LCD (液晶显示器)那样的FPD(平板显示器)用的玻璃基板等被处理基 板上，按规定的图形形成半导体层，绝缘层、导电层等，为了在该被 处理基板上制造包括半导体器件或与半导体器件连接的线路、电极等 构造物而实施的各种处理。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，利用CVD(化学气相沉积)等处理 在被处理基板，例如半导体晶片上进行形成氮化硅膜，氧化硅膜等薄 膜的处理。在这种成膜处理中，如以下这样在半导体晶片上形成薄膜。

首先，利用加热器，将热处理装置的反应管(反应室)加热至规 定的装载温度(ロ—ド温度)，装入收容有多枚半导体晶片的晶舟(ウ エハボ—ト)。其次，利用加热器将反应管内加热至规定的处理温度， 同时，从排气口(排気ポ—ト)排出反应管内气体，将反应管内减压 至规定的压力。

其次，将反应管内维持为规定的温度和压力(在继续排气的同时) 并从气体供给管路将成膜气体供给反应管内。例如，在CVD中，当成 膜气体被供给反应管内时，成膜气体引起热反应，生成反应生成物。 反应生成物堆积在半导体晶片的表面上，在半导体晶片的表面上形成 薄膜

由成膜处理生成的反应生成物不但堆积(附着)在半导体晶片的 表面上，而且作为副生成物堆积(附着)在反应管内面或各种夹具等 上。当在副生成膜附着在反应管内等的状态下，继续进行成膜处理时， 由于构成反应管等的石英和副生成物膜的热膨胀系数的不同产生的应 力，使石英或副生成物膜部分地剥离。这样，产生颗粒，成为制造的 半导体器件的成品率降低或处理装置的零件劣化的原因。

由于这样，在进行多次成膜处理后，要进行反应管内的清洁。在 清洁中，将清洁气体、例如氟和含卤素的酸性气体的混合气体供给由 加热器加热至规定温度的反应管内。附着在反应管内面等上的副生成 膜被清洁气体干蚀刻、除去(例如，参照日本特开平3-293726号公报)。 但是，如后述，本发明者们发现，在现有的这种成膜装置中，出现有 下述问题，即，与反应管内的清洁处理关联，清洁处理的效果在反应 管的上部侧不充分、或者清洁气体的气体喷嘴容易劣化等问题。

发明内容

本发明的目的是提供能够整体地均匀而且有效地进行反应管内的 清洁处理的半导体处理用的成膜装置。本发明的另一个目的为提供能 够防止清洁气体的气体喷嘴劣化的半导体处理用的成膜装置。

本发明的第一观点为提供一种半导体处理用的成膜装置，其包括： 以在上下设置间隔而进行层叠的状态容纳多个被处理基板的方式构成 的反应室；具有按照在上述反应室内支承上述被处理基板的方式设定 的多个支承层的支承部件；配置在上述反应室的周围的用于加热上述 被处理基板的加热器；将成膜气体供给上述反应室的成膜气体供给系 统，上述成膜气体供给系统包括按照遍及上述支承部件的上述支承层 的全体的方式隔开规定间隔形成有多个气体喷射孔的气体分散喷嘴； 供给对附着在上述反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的清洁 气体供给系统；和对上述反应室内进行排气的排气系统，上述排气系 统包括配置在隔着上述支承部件与上述气体分散喷嘴相对的位置上的 排气口，其中，上述清洁气体供给系统包括在上端具有在上述反应室 的底部附近指向上方的气体供给口的气体喷嘴，上述气体供给口位于 比上述支承部件的上述支承层的最下层还靠下的位置。