[发明专利]布图方法以及显示元件

说明书

技术领域

本发明涉及显示元件用基板的布图(patterning；图案化)方法、使用该布图方法进行布图的显示元件用基板、包括使用上述布图方法对基板进行布图的显示元件的制造方法、通过该显示元件的制造方法制造的显示元件。

背景技术

一直以来，在制造有机EL元件时，要进行布图。例如，在日本特开2004-146136号公报中，记载了使用磷酸、硝酸、醋酸的混合酸对金属薄膜层进行蚀刻，进而使用草酸进行蚀刻而对阳极薄膜层进行布图。但是，对于基板使用了有机无机层叠型气体阻隔薄膜的有机EL元件的布图，由于该气体阻隔薄膜是包含有机区域和无机区域的复杂的层结构，因此有必要进行各种研究。

另一方面，在日本特开2007-76036号公报中，记载了对层叠了包含由无机氧化物形成的透明蒸镀薄膜层和水溶性高分子的气体阻隔性被膜层的聚酰胺系薄膜进行蚀刻。但是，该蚀刻是利用等离子体处理进行的蚀刻，并且与有机EL元件也完全不相关。

发明内容

如上所述，针对基板使用了有机无机层叠型气体阻隔薄膜的显示元件用基板的布图方法，并未进行任何的研究。特别是，如果在气体阻隔薄膜中采用一直以来被广泛用作蚀刻液的强酸和强碱，则将对该气体阻隔薄膜产生损伤，导致最终得到的显示元件的性能劣化。本发明的目的在于解决该问题，提供能够在不对显示元件的性能产生影响的条件下进行高精度的布图的布图方法。

为了解决上述问题，本发明人们进行了积极的研究，结果发现能够通过下述方案解决上述问题。

(1)一种显示元件用基板的布图方法，所述显示元件用基板具有由至少1个有机区域和至少1个无机区域构成的气体阻隔层，其特征在于，通过使用弱酸或弱碱的蚀刻液进行湿法蚀刻来进行布图。

(2)根据(1)所述的布图方法，其特征在于，上述蚀刻液中所包含的弱酸或者弱碱的pKa在0.5～10的范围内。

(3)根据(1)或(2)所述的布图方法，其特征在于，上述蚀刻液选自草酸溶液、醋酸溶液、碳酸溶液和磷酸溶液、以及它们的2种以上的混合液。

(4)根据(1)或(2)所述的布图方法，其特征在于，上述蚀刻液为草酸水溶液。

(5)根据(1)～(4)任一项所述的布图方法，其特征在于，上述显示元件用基板具有透明电极，对该透明电极进行布图。

(6)根据(1)～(5)任一项所述的布图方法，其特征在于，上述显示元件用基板具有阳极薄膜层，对该阳极薄膜层进行布图。

(7)根据(1)～(6)任一项所述的布图方法，其特征在于，上述显示元件用基板具有ITO薄膜层，对该ITO薄膜层进行布图。

(8)根据(1)～(7)任一项所述的布图方法，其特征在于，上述气体阻隔层具有至少1层有机层和至少1层无机层层叠而成的结构。

(9)根据(8)所述的布图方法，其特征在于，上述至少1层有机层和上述至少1层无机层交替层叠。

(10)一种显示元件用基板，其特征在于，使用(1)～(9)任一项所述的布图方法进行布图。

(11)一种显示元件的制造方法，其特征在于，包括使用(1)～(9)任一项所述的布图方法对基板进行布图。

(12)通过(11)所述的方法制造的显示元件。

利用本发明，能够在不对元件的性能产生影响的条件下进行显示元件用基板的布图。

具体实施方式

下面，针对本发明的内容进行详细的说明。另外，本申请说明书中所使用的“～”表示的含义是包含其前后记载的数值作为上限值和下限值。

《布图方法》

本发明的显示元件用基板的布图方法的特征在于，对具有由至少1个有机区域和至少1个无机区域构成的气体阻隔层的显示元件用基板，进行湿法蚀刻，并且在该蚀刻中使用弱酸或弱碱的蚀刻液。

(蚀刻液)

本发明的布图方法中所使用的蚀刻液为弱酸或弱碱，优选pKa在0.5～10的范围内，更优选pKa在1.0～9.5的范围内。通过使用这样的蚀刻液，能够在不对显示元件用基板造成损害的情况下进行蚀刻，且能够高精度地进行蚀刻。本发明的蚀刻液优选选自草酸、醋酸、碳酸和磷酸、以及它们的2种以上的混合液，更优选草酸、醋酸。

与湿法蚀刻相关的其它具体条件、以及布图时的其它处理步骤可以采用公知的技术，例如，可以采用日本特开平3-250583号公报、日本特开2006-59831号公报、城户淳二主编的“有机EL材料和显示器”CMC发行(2001年)等中记载的方法。

《显示元件用基板》

(气体阻隔层)