[发明专利]气体阻隔性薄膜及采用了该薄膜的有机器件无效
| 申请号： | 200810165630.9 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101391498A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 伊藤滋英;千贺武志 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B33/00;B32B27/36;H01L51/44;H01L51/42;H01L51/00;H05B33/00;G06F3/041 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 薄膜 采用 有机 器件 | ||
1.一种气体阻隔性薄膜，其特征在于，在挠性支撑基板的表面上具有至少1层的氢化氮化硅层和至少1层的氮化硅层。
2.根据权利要求1中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述氢化氮化硅层与所述氮化硅层邻接。
3.根据权利要求2中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述氢化氮化硅层与所述氮化硅层之间的组成连续地变化，没有明确的界面。
4.根据权利要求1～3的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述氮化硅层含有氧氮化硅。
5.根据权利要求1～3的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述氢化氮化硅层含有氢化氧氮化硅。
6.根据权利要求1～3的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述氢化氮化硅层的除硅以外的成分中的氮成分为45摩尔％以下，且氢成分为30摩尔％以上。
7.根据权利要求1～3的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述氢化氮化硅层的膜厚为50～300nm。
8.根据权利要求1～3的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述氮化硅层的膜厚为10～300nm。
9.根据权利要求1～3的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述气体阻隔性薄膜具有至少1层的有机层。
10.根据权利要求9中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述有机层是由含有2官能团丙烯酸酯和3官能团丙烯酸酯中的至少1种的组合物固化而形成的。
11.根据权利要求9中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述有机层含有2官能团甲基丙烯酸酯和3官能团甲基丙烯酸酯中的至少1种。
12.根据权利要求9中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述有机层是由含有至少1种双酚类的(甲基)丙烯酸酯的组合物固化而形成的。
13.根据权利要求1～12的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，所述挠性支撑基板为聚酯。
14.一种有机器件，其特征在于，其采用了权利要求1～13的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜。
15.根据权利要求14中记载的有机器件，其特征在于，所述气体阻隔性薄膜用于封固。
16.根据权利要求14中记载的有机器件，其特征在于，所述有机器件在由所述气体阻隔性薄膜构成的基板表面上具有有机器件材料，且在挠性支撑基板的形成有无机层的一侧的面上层叠有所述有机器件材料。
17.根据权利要求14～16的任意一项中记载的有机器件，其特征在于，所述有机器件为有机电致发光显示装置、液晶显示装置、触摸面板以及太阳电池中的任意一个。
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