[发明专利]气体阻隔性薄膜及采用了该薄膜的有机器件

说明书

技术领域

本发明涉及水蒸气阻隔性优异的气体阻隔性薄膜以及采用了该薄膜的有机器件(device)。

背景技术

一直以来人们都在研究有机器件中使用的薄膜。例如在日本特开2003—51382号公报中公开了一种薄膜，它是在高分子薄膜的表面具有被膜的有机器件用薄膜，其特征在于，上述被膜由含有硅、氮、氢、氧的无机聚合物构成。另外，在日本特开平8—68990号公报中公开了气体阻隔性低透湿性绝缘性透明电极用基板，其特征在于，在透明基板的至少一个面上层叠了由至少一层氮化物构成的透明薄膜以及由至少一层氧化物构成的透明薄膜。

然而，本申请的发明人等研究发现，日本特开2003—51382号公报中记载的薄膜存在透湿度高即阻隔性差的问题。这是由于是将硅氨烷溶液涂布在基底上来制作上述被膜的。另一方面，日本特开平8—68990号公报中记载的基板不能得到充分的气体阻隔性。这是由于，由如日本特开平8—68990号公报中记载的氮化物构成的透明薄膜和由氧化物构成的透明薄膜的层叠体并不能得到充分的阻隔性。作为其原因，认为是因为由氮化物构成的透明薄膜比较薄，但若增加由氮化物构成的透明薄膜的厚度，则容易发生裂缝。

发明内容

本发明的目的在于解决上述课题，提供具有高气体阻隔性的气体阻隔性薄膜。

基于上述课题，发明人进行了深入研究，结果发现，通过设置致密的水蒸气遮断性能高的氮化硅层和具有与水蒸气反应而转变为SiOx的性能、即具有水蒸气捕集功能的氢化氮化硅层这两者，从而能够解决上述课题。也就是说，为了获得高气体阻隔性，需要将致密的氮化硅层设置为一定程度的厚度。但是，氮化硅层的厚度越厚，在层内产生气孔或裂缝的可能性越高。气孔或裂缝的产生可以通过使用氧氮化硅化层或者使氮化硅层薄膜化来改良，但还是会有气体阻隔性下降等的问题。基于这种状况，本发明人进行了深入研究，结果发现，通过将氮化硅层和挠性比该氮化硅层更加优异的氢化氮化硅层进行层叠，可以缓和施加于氮化硅层的应力，使之难以破裂。进而，氢化氮化硅层还可以吸收从致密的氮化硅层微量渗出的水分，从而表现出更加优异的阻隔性，从而完成了本发明。

具体来说，发现通过下述手段能够解决上述课题。

(1)一种气体阻隔性薄膜，其特征在于，在挠性支撑基板的表面上具有至少一层氢化氮化硅层和至少一层氮化硅层。

(2)根据(1)中记载的气体阻隔性薄膜，其中，上述氢化氮化硅层与上述氮化硅层邻接。

(3)根据(2)中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，上述氢化氮化硅层与上述氮化硅层之间的组成连续地变化，没有明确的界面。

(4)根据(1)～(3)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，上述氮化硅层含有氧氮化硅。

(5)根据(1)～(4)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，上述氢化氮化硅层含有氢化氧氮化硅。

(6)根据(1)～(5)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，上述氢化氮化硅层的除硅以外的成分中的氮成分为45摩尔％以下，且氢成分为30摩尔％以上。

(7)根据(1)～(6)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，上述气体阻隔性薄膜中，氢化氮化硅层的膜厚为50～300nm。

(8)根据(1)～(7)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，上述气体阻隔性薄膜中，氮化硅层的膜厚为10～300nm。

(9)根据(1)～(8)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，上述气体阻隔性薄膜中具有至少1层有机层。

(10)根据(9)中记载的气体阻隔性薄膜，其中，上述气体阻隔性薄膜中，有机层含有2官能团丙烯酸酯和3官能团丙烯酸酯中的至少1种。

(11)根据(9)或(10)中记载的气体阻隔性薄膜，其中，上述气体阻隔性薄膜中，有机层是由含有2官能团甲基丙烯酸酯和3官能团甲基丙烯酸酯中的至少1种的组合物固化而形成的。

(12)根据(9)～(11)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其中，上述气体阻隔性薄膜中，有机层是由含有双酚类的(甲基)丙烯酸酯中的至少1种的组合物固化而形成的。

(13)根据(1)～(12)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜，其特征在于，上述挠性支撑基板为聚酯。

(14)一种有机器件，其特征在于，其采用了(1)～(13)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜。

(15)一种有机器件，其特征在于，用(1)～(13)的任意一项中记载的气体阻隔性薄膜进行了封固。