[发明专利]显示基板制造方法以及真空处理设备无效
申请号: | 200810165682.6 | 申请日: | 2008-09-24 |
公开(公告)号: | CN101399175A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 井上雅人;松井绅 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 史雁鸣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制造 方法 以及 真空 处理 设备 | ||
1.一种显示基板制造设备的显示基板制造方法,所述显示基板制造设备具有:
基部,所述基部具有由绝缘材料制成的吸持面;
电极,所述电极形成在所述基部内,以便产生用于吸持放置在吸持面上的基板的静电吸持力;
加热装置,所述加热装置形成在所述基部内,以便对所述基部加热;以及
抽气装置,所述抽气装置用于对形成于放置在所述吸持面上的基板和所述吸持面之间的空间的内部抽气,
所述方法包括:
在吸持面上放置不同于所述基板的模拟基板的放置步骤;
利用所述抽气装置对所述空间的内部抽气、以便使所述模拟基板与所述吸持面紧密接触的抽气步骤;
由所述加热装置对所述基部加热、以便有利于从所述吸持面上去除粘到所述吸持面上的外来颗粒的加热步骤;
将粘到所述吸持面上的外来颗粒从所述吸持面转移到与所述吸持面紧密接触的所述模拟基板上的转移步骤;以及,
从所述吸持面上移去在所述转移步骤中外来颗粒被转移到其上的所述模拟基板的移去步骤。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述空间用于提供氦气,用以提高冷却效果。
3.一种显示基板制造设备的显示基板制造方法,所述显示基板制造设备具有:
基部,所述基部具有由绝缘材料制成的吸持面;
电极,所述电极形成在所述基部内,以便产生用于吸持放置在吸持面上的基板的静电吸持力;
加热装置,所述加热装置形成在所述基部内,以便对所述基部加热;
以及抽气装置,所述抽气装置用于对形成于放置在所述吸持面上的基板和所述吸持面之间的空间的内部抽气,
所述方法包括:
在吸持面上放置不同于所述基板的模拟基板的放置步骤;
由所述加热装置对所述基部加热、以便有利于从所述吸持面上去除粘到所述吸持面上的外来颗粒的加热步骤;
利用所述抽气装置对所述空间的内部抽气、以便使所述模拟基板与所述吸持面紧密接触的抽气步骤;
将粘到所述吸持面上的外来颗粒从所述吸持面转移到与所述吸持面紧密接触的所述模拟基板上的转移步骤;以及,
从所述吸持面上移去在所述转移步骤中外来颗粒被转移到其上的所述模拟基板的移去步骤。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述空间用于提供氦气,用以提高冷却效果。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述加热步骤中,将加热模拟基板的状态保持预定的时间。
6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述加热步骤中,将加热模拟基板的状态保持预定的时间。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,为了将模拟基板吸持到所述吸持面上,所述放置步骤包括利用通过向所述电极施加电压而产生的静电吸持力将放置的模拟基板吸持到所述吸持面上的步骤。
8.如权利要求3所述的方法,其特征在于,为了将模拟基板吸持到所述吸持面上,所述放置步骤包括利用通过向所述电极施加电压而产生的静电吸持力将放置的模拟基板吸持到所述吸持面上的步骤。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,当被处理的基板的累计数量超过预定的参考数量时,实施所述方法。
10.如权利要求3所述的方法,其特征在于,当被处理的基板的累计数量超过预定的参考数量时,实施所述方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造