[发明专利]显示基板制造方法以及真空处理设备无效
申请号: | 200810165682.6 | 申请日: | 2008-09-24 |
公开(公告)号: | CN101399175A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 井上雅人;松井绅 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 史雁鸣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制造 方法 以及 真空 处理 设备 | ||
技术领域
本发明涉及制造诸如平板显示器等显示基板的方法、以及真空处理设备。
背景技术
静电吸持器被用作用于对要在半导体制造设备或平板显示器制造设备等基板处理设备中进行处理的基板进行固定的装置。在这样的基板处理设备中,在借助静电吸持器的静电吸持力将基板固定在该静电吸持器上的状态下进行处理。在处理完成之后,通过去除静电吸持力,将基板从静电吸持器上释放。因此,在具有静电吸持器的基板处理设备中,基板被静电吸持器反复地吸持和释放。
在静电吸持器的与基板直接接触的吸持面上,当吸持面反复与基板接触时,与最初的清洁状态相比,污染逐渐地发展。当设备的生产率增加以及要处理的基板的数目增加时,这种倾向变得显著。
当污染物粘附到静电吸持器的吸持面上时,吸持性能变差。通过清理静电吸持器的吸持面,能够恢复静电吸持器的吸持力。作为用于这一目的的手段,可以从基板处理设备上拆下静电吸持器,并以与静电吸持器的制造工艺中相同的方法清理静电吸持器。
不幸的是,由于需要巨大的工作量,所以将静电吸持器从制成的基板处理设备上拆下是不切实际的。另外,随着要处理的基板的尺寸增加,近来,静电吸持器的尺寸增大。这进一步增加了拆下静电吸持器的工作的缺点。
而且,为了提高基板处理设备的基板处理速度以及需要清理处理,提出了不用任何操作者、自动清理静电吸持器的表面的要求。为此,日本专利申请公开No.11-251417提出了一种通过在静电吸持器的静电吸持面上形成专用涂层、用以防止外来颗粒粘附的措施。
图3是表示根据日本专利申请公开No.11-251417中公开的现有技术的静电吸持器的设计的概要的图示。图3表示静电吸持器的基部。该静电吸持器能够将基板保持在由绝缘层1001和多个导电层1002制成的基板保持面上。在这种设计中,将导电层1002层叠分散在吸持面上。这可以大大减少导电性外来颗粒对于作为要吸持物体的基板的粘附。这还可以抑制和防止由于外来颗粒的存在而引起的吸持力的降低。
日本专利申请公开No.2002-26115公开了一种用于通过对静电吸持器发射电磁波(热辐射)提高静电吸持器的吸持面的温度的机构,作为用于保持静电吸持器的表面状态恒定的保持机构,以便去除静电吸持器的剩余电荷。
图4是表示根据日本专利申请公开No.2002-26115中公开的现有技术的静电吸持器的设计的概括的图示。如图4所示,静电吸持器2001吸持并保持工件(基板)2002。图4所示的静电吸持器2001具有这样的配置:其中,安装在与静电吸持器2001的吸持面相反的位置上的灯2003和2004向静电吸持器2001发出辐射。如果在静电吸持器2001上存在剩余电荷,则当从静电吸持器2001上释放工件(基板)2002时,该剩余电荷将起到电阻的作用。这使其不可能迅速地从静电吸持器2001上卸下工件(基板)2002。相反,图4中所示的静电吸持器2001的剩余电荷可以通过从灯2003和2004向静电吸持器2001发出辐射而被去除。因此,能够迅速地将工件(基板)2002从静电吸持器2001上卸下。
不幸的是,具有图3中所示的配置的静电吸持器,由于必须在静电吸持器的配置中形成诸如涂层等附加的功能,所以增加了设备成本。如前面所述,近来,随着要处理的基板的尺寸增大,静电吸持器的尺寸也增大。因而,涂层等的成本也显著增加。
进而,如图4所示的用于通过向静电吸持器的表面发射电磁波来提高温度的装置能够获得去除静电吸持器的剩余电荷的效果。然而,可以预期,对于去除吸附到静电吸持器的吸持面上的外来颗粒几乎没有效果。这是因为,图4中所示的静电吸持器不具有与高温处理之后的电荷移动路径相对应的去除粘附的外来颗粒的路径。即,尽管对静电吸持器的吸持面施加外部能量有利于去除粘附到静电吸持器的吸持面上的外来颗粒,但是,外来颗粒没有离开静电吸持器的吸持面,而是保留在了吸持面上。因此,如果停止向静电吸持器的吸持面施加外部能量,则外来颗粒会再次粘附到静电吸持器的吸持面上。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示基板制造方法,以及在诸如平板显示器等显示基板的制造工艺中能够在短时间内以简单的方法去除粘在静电吸持器的吸持面上的外来颗粒的真空处理设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造