[发明专利]电容器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810165818.3 申请日: 2008-09-23
公开(公告)号: CN101399116A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 增田秀俊;入枝泰成;黑泽胜;水野高太郎 申请(专利权)人: 太阳诱电株式会社
主分类号: H01G4/00 分类号: H01G4/00;H01G4/005;H01G4/018;H01G9/00;H01G9/04;H01G9/07
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电容器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电容器,其特征在于,具有以下部分,

以规定的间隔对置的一对导电体层,

在所述一对导电体层间设置的电介质层,

第1电极,被配设在以与所述一对导电体层大致垂直的方向贯穿所述电介质层的多个孔中的一部分孔内,一端与一侧导电体层导通,另一端与另一侧导电体层绝缘,

第2电极,被配设在所述多个孔中剩余的孔内,一端与所述另一侧导电体层导通,另一端与所述一侧导电体层绝缘,

并且所述第1电极与第2电极被不规则地配置。

2.如权利要求1所述的电容器,其特征在于,

所述电介质层为阀金属的氧化物、复合氧化物、树脂中的任意一种。

3.如权利要求1或2中所述的电容器,其特征在于,

通过在所述第1及第2电极中至少任意一个的前端与所述导电体层间设置的间隙,将所述电极和导电体层间绝缘。

4.如权利要求1或2中所述的电容器,其特征在于,

通过在所述第1及第2电极中至少任意一个的前端与所述导电体层间设置的绝缘体,将所述电极和导电体层间绝缘。

5.如权利要求4中所述的电容器,其特征在于,

所述绝缘体为金属氧化物、树脂、SiO:中的任意一种。

6.一种电容器的制造方法,是以将金属基材阳极氧化而得到的氧化物基材作为电介质层的电容器的制造方法,其特征在于,包括以下工序,

工序1:对金属基材施加电压进行阳极氧化,在所述氧化物基材的厚度方向上形成多个用于填充电极材料的具有规定深度的第1孔,所述第1孔口开在氧化物基材的一侧主面;

工序2:利用大于所述工序1的外加电压将所述金属基材阳极氧化,形成多个第2孔,所述第2孔的间距大于所述第1孔,并且不规则地与所述第1孔的一部分的前端连接;

工序3:将所述第2孔的前端在所述氧化物基材的另一侧主面侧开口;

工序4:在所述氧化物基材的一侧主面整体上形成导电性的种子层;

工序5:在与所述第2孔连接的第1孔中埋入导电体,在所述种子层上形成不到达所述第1孔前端的第1电极:

工序6:除去所达种子层的同时以与所述第2孔相当的厚度切除所述氧化物基材的另一侧主面侧,将未形成所述第1电极的第1孔的端部开口;

工序7:在所述氧化物基材的另一侧主面整体上形成与所述第1电极绝缘的导电体层;

工序8:将所述导电体层作为种子,在未形成所述第1电极的第1孔中埋入导电体,以使导电体不到达所述氧化物基材的一侧主面,形成第2电极;

工序9:在所述氧化物基材的一侧主面上形成与所述第1电极的端部连接且与所述第2电极绝缘的另一导电体层。

7.如权利要求6所述的电容器的制造方法,其特征在于,包括下述工序中的至少任一个,

在所述工序5中形成的第1电极上设置填补与所述氧化物基材的另一侧主面的阶差的绝缘体的工序,

在所述工序8中形成的第2电极上设置填补与所述氧化物基材的一侧主面的阶差的绝缘体的工序。

8.如权利要求7所述的电容器的制造方法,其特征在于,

所述绝缘体为金属氧化物、树脂、SiO2中的任意一种。

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