[发明专利]电容器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电容器及其制造方法。更具体而言，本发明涉及一种电容器的电容密度提高、构成电容器的电介质材料及电极金属的选择性提高、电容器的制造过程简化的电容器及其制造方法。

背景技术

作为目前广泛使用的电容器，已知有A1电解电容器或层合陶瓷电容器。因为A1电解电容器使用电解液，所以存在必须考虑防止漏液的结构等难题。另外，层合陶瓷电容器必须进行烧成，存在必须考虑到电极与电介质间的热收缩差异引起的变形等而进行设计等难题。作为实现小型且大电容的电容器的技术，例如有下述专利文献1中公开的晶界绝缘型半导体陶瓷电容器、以及专利文献2中公开的电容器结构体及其制造方法。

上述专利文献1中公开了一种晶界绝缘型半导体陶瓷电容器，所述晶界绝缘型半导体陶瓷电容器由以下部分构成：具有伸向对置端面的多个通孔的半导体晶界绝缘型电介质陶瓷、分别设置在此电介质陶瓷的所述对置端面的外部连接用电极、和插入所述电介质陶瓷各通孔中的由高熔点金属构成的电容用电极体。此电容用电极体的相邻电容用电极体分别与不同的所述外部连接用电极导通连接。

另外，所述专利文献2中公开了一种获得电容器结构体的方法。所述方法形成第1电极、电介质薄膜和第2电极，所述第1电极是将基板经过阳极氧化得到的多孔基板用作掩模，进行薄膜形成处理，在电容器用基板的表面规则地形成多个柱状体而得到的；所述电介质薄膜形成在所述第1电极的表面，覆盖所述柱状体的外侧；所述第2电极形成在所述电介质薄膜的表面，覆盖所述柱状体的外侧。

然而，上述背景技术中存在以下问题。首先，上述专利文献1所述的技术涉及下述结构，即，使用具有多个通孔的半导体晶界绝缘型电介质陶瓷作为电介质层，向所述各通孔中选择性地插入电容用电极体。但由于难以进行微细加工，所以存在难以通过增加面积实现大电容化的问题。另外，上述专利文献2所述的技术由于电极材料附着在用作掩模的多孔基板上、或该多孔基板本身因蚀刻导致孔扩大等，因此，难以得到均匀的剖面形状及所期望长度的柱状体。此外，所述柱状体变长时，在之后形成的电介质薄膜易产生膜厚不均，因此，存在难以通过增高柱状体来实现大电容化的问题。

[专利文献1]特公昭61-29133号公报

[专利文献2]特开2003-249417公报

发明内容

本发明着眼于以上课题，其目的在于提供一种小型且能够提高电容密度、提高电极金属及电介质材料的选择性、简化制造过程的电容器及其制造方法。

为了实现上述目的，本发明的第1技术手段涉及一种电容器，所述电容器具有以下部分：以规定的间隔对置的一对导电体层；设置在该一对导电体层间的电介质层；第1电极，所述第1电极配设在以与所述一对导电体层大致垂直的方向贯穿所述电介质层的多个孔中的一部分孔内，一端与一侧导电体层导通，另一端与另一侧导电体层绝缘；第2电极，所述第2电极配设在所述多个孔中剩余的孔内，一端与所述另一侧导电体层导通，另一端与所述的一侧导电体层绝缘；并且所述第1电极与第2电极被不规则地配置，由此可以实现上述本发明的目的。

本发明如上所述在贯穿电介质层的厚度方向的孔内设置电极，将第1电极(例如正极)与第2电极(例如负极)不规则地配置于电介质表面和背面的导电体层，因此可以增加决定电容的面积，实现高电容化。

作为主要方案之一，所述电介质层为阀金属的氧化物、复合氧化物、树脂中的任意一种。其它方案为通过设置在所述第1及第2电极中的至少任意一个电极的前端与所述导电体层间的间隙，绝缘所述电极和导电体层间。进而，通过设置在所述第1及第2电极中的至少任意一个电极的前端与所述导电体层间的绝缘体，绝缘所述电极和导电体层。其它方案为所述绝缘体为金属氧化物、树脂、SiO₂中的任意一种。

本发明的第2技术手段涉及一种以由金属基材经过阳极氧化而得到的氧化物基材作为电介质层的电容器的制造方法，包括以下工序，