[发明专利]晶片水平测量功率MOS门器件栅电阻的改进校准法有效
| 申请号： | 200810165900.6 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447483A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 安荷叭剌;雷燮光;伍时谦 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/544;H01L21/66;G01R27/16;G01R1/073 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 水平 测量 功率 mos 器件 电阻 改进 校准 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶片，其特征在于，包括：
位于所述半导体晶片的测试区上的一种晶片水平测量校准电路，所述半导体晶片包含多个半导体功率芯片；位于所述测试区上的一种晶片水平测量校准电路进一步包括一个电阻器-电容器RC网络；
其中，所述半导体晶片的底层还包括所述多个半导体功率芯片的漏极；并且
所述电阻器-电容器RC网络包含的电容器为沟槽电容器。
2.一种进行晶片水平半导体功率器件测量校准的方法，其特征在于，包括：
在包含多个半导体功率芯片的半导体晶片上生成一种晶片水平测量校准电路，以便在未将所述半导体功率芯片的漏极与固定的电压电源连接的情况下进行所述的晶片水平测量校准；
在所述半导体晶片上生成一种晶片水平测量校准电路的所述步骤进一步包括构建一个邻近所述半导体功率芯片的电阻器-电容器RC网络；
其中，所述半导体晶片的底层还包括所述多个半导体功率芯片的漏极；并且
所述电阻器-电容器RC网络包含的电容器为沟槽电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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