[发明专利]半导体芯片封装、半导体芯片组件和制造器件的方法有效
申请号: | 200810166144.9 | 申请日: | 2008-10-08 |
公开(公告)号: | CN101409241A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | T·迈耶;M·布伦鲍尔;J·波尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L25/00;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王庆海;王丹昕 |
地址: | 德国新*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 组件 制造 器件 方法 | ||
1.一种制造至少一个器件的方法,包括:
施加至少一个半导体芯片到第一成形元件上;
施加至少一个元件到第二成形元件上;以及
施加材料到该至少一个半导体芯片和该至少一个元件上;
其中该至少一个半导体芯片和该至少一个元件以并排交替的方式 被放置。
2.根据权利要求1的方法,其中该元件来自由其它半导体芯片、 通路元件、电阻器、线圈、层、金属层、箔片、金属箔片、铜箔片、 引线框架、焊料球、夹具、接触元件、或接触垫构成的组。
3.根据权利要求1的方法,其中施加材料包括传递模塑或者压缩 模塑。
4.根据权利要求1的方法,还包括:施加材料到该至少一个半导 体芯片和该至少一个元件上是通过将该材料引入到由第一成形元件和 第二成形元件形成的空腔中来实现的。
5.根据权利要求1的方法,还包括:施加材料到该至少一个半导 体芯片和该至少一个元件上是通过将该材料压入在第一成形元件和第 二成形元件之间来实现的。
6.一种制造至少一个器件的方法,包括:
提供至少一个半导体芯片;
提供至少一个元件;
施加模塑材料层到该至少一个半导体芯片和该至少一个元件上, 该模塑材料层包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面,其中该 模塑材料层的第一表面与该至少一个半导体芯片的表面共面,并且该 模塑材料层的第二表面与该至少一个元件的表面共面,其中接触垫位 于该至少一个半导体芯片的表面上并且接触垫位于该至少一个元件的 表面上;和
从该模塑材料层的第一表面到该模塑材料层的第二表面穿通该模 塑材料层形成电通路连接。
7.根据权利要求6的方法,还包括:该元件来自由其它半导体芯 片、通路元件、电阻器、线圈、层、金属层、箔片、金属箔片、铜箔 片、引线框架、焊料球、夹具、接触元件、或接触垫构成的组。
8.根据权利要求6的方法,其中施加材料层包括传递模塑或者压 缩模塑。
9.根据权利要求8的方法,还包括:施加材料层到该至少一个半 导体芯片和该至少一个元件上是通过将该材料引入到由第一成形元件 和第二成形元件形成的空腔中来实现的。
10.根据权利要求8的方法,还包括:施加材料层到该至少一个 半导体芯片和该至少一个元件上是通过将该材料压入在第一成形元件 和第二成形元件之间来实现的。
11.一种半导体芯片封装,包括:
模塑材料层,其包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面;
由该模塑材料层覆盖的第一半导体芯片,其中该第一半导体芯片 的第一表面与该模塑材料层的第一表面共面;
由该模塑材料层覆盖的第二半导体芯片,其中该第二半导体芯片 的第一表面与该模塑材料层的第二表面共面;和
从该模塑材料层的第一表面到该模塑材料层的第二表面穿通该模 塑材料层形成的电通路连接,
其中该第一和第二半导体芯片包括多个接触垫;
该多个接触垫位于该第一和第二半导体芯片的第一表面处。
12.根据权利要求11的半导体芯片封装,包括:
其中多个接触元件被提供到所述材料层的一个侧面上并且连接到 该多个接触垫中被选择的接触垫。
13.根据权利要求12的半导体芯片封装,包括:
其中在材料层的表面中的一个或两个上形成再分配层;和
该再分配层包括多个再分配垫,该再分配层连接在多个第一或第 二接触垫中的被选择的接触垫和多个接触元件中的被选择的接触元件 之间。
14.根据权利要求13的半导体芯片封装,还包括:
该电通路连接将位于材料层的与其一侧相对的另一侧上的多个接 触垫电连接到再分配层的再分配垫中被选择的再分配垫。
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