[发明专利]半导体芯片封装、半导体芯片组件和制造器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于制造至少一个器件的方法，半导体芯片封装和半 导体芯片组件。

背景技术

在半导体芯片封装技术中的一个挑战是关于将半导体芯片的接触 焊垫连接到外部的接触元件.另一个挑战是增长的通过芯片或者封装 分层的功能密度。在芯片分层中，两个或者多个半导体芯片被分层并 且容纳在一个芯片封装中。当将半导体芯片容纳到芯片封装中时，半 导体芯片的接触焊垫就必须连接到芯片封装的外部接触元件。

附图说明

附图提供了对说明书的实施例的进一步的理解并且成为说明书的 一部分。附图说明了实施例并且和说明书一起用于解释实施例的原理。 其它实施例和实施例的优点将很容易理解，这是因为通过参考下面的 详细描述将更容易理解它们.附图的元件没有必要按着相互的比例画 出。相似的参考符号表示对应相似的部件。

图1是制造至少一个器件的方法的实施例的流程图。

图2A-I是表示中间产品和器件的横截面图，并且表示如图1所示 的实施例的其它实施例的处理设备。

图3A-D是根据用于制造至少一个器件的方法的其它实施例制造的 器件的不同实施例的横截面图。

图4是用于制造至少一个器件的方法的其它实施例的流程图.

图5A-F是中间产品和器件的横截面图，示出了如图1，2A-I，2A-D 和4的其它实施例。

图6是用于制造半导体芯片组件的方法的实施例的流程图。

图7A和7B示出了中间产品和半导体芯片组件的横截面图，示出 了如图6所示的实施例的其它实施例。

图8示出了半导体芯片封装的实施例的横截面图。

图9A-F是表示中间产品和器件的横截面图，并且表示制造至少一 个器件的其它实施例的处理设备。

图10A和10B是表示中间产品和器件的横截面图，并且表示制造 至少一个器件的其它实施例的处理设备。

图11A-C是表示中间产品和器件的横截面图，用于表示制造至少 一个器件的其它实施例.

具体实施方式

在下面的参考附图进行的详细说明中，该附图是说明书的一部分， 其中通过说明实现本发明的具体实施例的方式示出。在这一点上，方 向术语，例如“顶部”、“底部”、“前面”、“后面”、“前沿”、“后沿” 是参考被描述的图的方向来使用的.因为实施例的各部件以不同的方 向被定向，所以使用方向术语的目的是说明性的而不是限制性的。可 以理解，可以使用其它实施例，并且可以进行结构或逻辑变化而不脱 离本发明的范围。因此，下面的详细描述不是限制性的，本发明的范 围由权利要求书来限定.

可以理解，这里描述的各种示例性实施例的特征可以相互组合， 除非另有特别说明。

现在参考附图描述实施例，其中通常用相似的参考符号表示相同 的元件。在下面的描述中，出于解释的目的，设定了具体的数字以便 提供对一个或者多个实施例的全面了解。然而，本领域的技术人员很 清楚，可以使用更具体的细节来实现一个或者多个实施例。在其它的 例子中，以示意性的形式描述了公知的结构和元件，以便简化描述一 个或者多个实施例。因此下面的描述不是出于限制性目的，其范围由 权利要求书来限定。

用于制造至少一个器件的方法的实施例，用于制造半导体芯片组 件的方法的实施例和用于半导体芯片封装的实施例可以使用多种类型 的半导体芯片或者半导体衬底，其中包括逻辑集成电路，模拟集成电 路，混合信号集成电路，传感器电路，MEMS(微机电系统)，功率集成 电路，具有集成的无源元件的芯片.

在多个实施例中，将多个层或者堆层应用到彼此上，或者涂覆或 沉积材料到层上。可以理解，例如术语“涂覆”或者“沉积”的意思 是完全覆盖了将多层涂覆到彼此上的所有技术。在一个实施例中，它 们的意思是覆盖技术，其中将多层作为整体一次涂覆，例如叠置技术 和将多层顺序沉积的技术，例如溅射、电镀、模制、CVD等。

半导体芯片可以包括在它们的外表面的一个或多个上的接触元件 或接触垫，其中接触元件用于电接触半导体芯片。可以使用任何导电 材料来制造接触元件，例如使用铝、金或者铜的材料，或者使用合金 材料，或者使用导电的有机材料、或者使用导电的半导体材料。