[发明专利]薄TIM无核高密度无凸点封装的形成方法和由此形成的结构

说明书

发明背景

[0001]微电子管芯在被用于封装应用中时可提供很多优点。例如，在 将这种薄管芯用在微电子结构和/或微电子封装结构中时可提高热和电性能。

附图简述

[0002]尽管说明书归纳出具体指出并明确要求被视为本发明的权利要 求，但在结合附图阅读本发明的以下描述可更容易地确定本发明的优点，附图 中：

[0003]图1a-1m示出根据本发明的实施例的结构。

具体实施方式

[0004]在以下的详细描述中，对作为例示示出实施本发明的特定实施 例的附图进行参考。足够详细地描述这些实施例以使本领域的技术人员能够实 施本发明。可以理解，本发明的各实施例尽管不同但未必相互排斥。例如，本 文中结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性可在不背离本发明的精神和 范围的情况下在其他实施例中实现。此外，将理解可在不背离本发明的精神和 范围的情况下修改每个公开的实施例中各元件的位置和安排。因此，以下的详 细描述不是限制的意思，且本发明的范围仅由适当解释的所附权利要求连同权 利要求授权的全范围的等价技术方案所限制。附图中，各视图中相同的附图标 记指示相同或相似功能。

[0005]描述形成微电子结构的方法。这些方法可包括：将多个支承环 放置在支承架的粘性层上，其中支承环被置于支承架的空腔内；将多个薄管芯 放置在支承架的底座上，其中薄管芯的顶面基本与支承环的顶面齐平；然后在 管芯的顶面上堆积叠加多个层。本发明的方法使得具有薄的热界面材料(TIM) 的薄管芯能够用在例如高密度无核无凸点微电子封装中。这种实现显著提高了 利用本发明的方法和结构的微电子结构的热和/或电性能。

[0006]图1a-1m示出形成微电子结构的方法的实施例，例如用于形成 部分无凸点、无核微电子封装的方法。图1a示出衬底支架100的横截面。衬 底支架100可为管芯的放置提供支承结构，且还可包括底座104和空腔102。 空腔可具有深度103，其中深度103的大小可取决于具体应用。

[0007]可在衬底支架100上形成基本覆盖底座104和空腔102的可释 放层106。在一个实施例中，可释放层106可包括随后可被固化的硅酮层。在 其他实施例中，可释放层106可包括任何在固化后有粘性的材料，且可提供对 随后放置在支承架100上的管芯的相当大的粘附力，但还不是强到阻止在后续 处理步骤期间管芯从支承架100脱离的粘结剂。

[0008]可将至少一个支承环108放置在释放层108上，其中可将各个 支承环108放置在各个空腔102内(图1b)。在一个实施例中，可利用拾取和放 置技术来放置至少一个支承环108的每一个，如本领域中所已知的。在一个实 施例中，该至少一个支承环108可包括FR4(阻燃剂4)、铜、SS(不锈钢)、铝、 硅和陶瓷材料中的至少之一。在一个实施例中，至少一个支承环108的高度115 可高于底座104的高度117。在一个实施例中，支承环高度115和底座105高 度117之差可以约是随后放置在底座104上的管芯的高度(即厚度)。在至少一 个支承环108的侧壁111和支承架100的底座104的侧壁103之间可存在间隙 109。

[0009]图1c描述了设置在支承架100上的支承环108的俯视图，其中 空腔102由支承环108包围。在另一实施例中，至少一个支承环108可被预先 构造成支承环镶板110(图1d)，使得支承环镶板110可被放置在支承架100的 多个空腔102中(图1e)。在一个实施例中，支承环110的高度115可高于它们 包围的多个底座104的高度117。

[0010]在一个实施例中，可将至少一个管芯112放置在至少一个底座 104上(图1f)，使得管芯的晶体管侧面向上，而管芯的后侧119设置在释放层 106上。在一个实施例中，可通过利用拾取和放置工艺来将至少一个管芯放置 在至少一个底座104上。可释放层106可将至少一个管芯112保持基本平坦并 将其保持在衬底支架100的至少一个底座104的适当位置上。