[发明专利]对准标记及缺陷检测方法有效
| 申请号： | 200810166502.6 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101719477A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 周玲君;陈铭聪;刘喜华;雷舜诚;曹博昭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 标记 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种缺陷检测的方法，包含：
利用一第一缺陷检测系统对一晶片进行一第一缺陷检测步骤，其中该晶 片上具有至少一对准标记，且该第一缺陷检测步骤另包含对准该对准标记， 并以该对准标记作为该第一缺陷检测步骤的参考点，其中该第一缺陷检测步 骤包含取得一第一缺陷图谱；
对该晶片进行至少一工艺；以及
利用一第二缺陷检测系统对该晶片进行一第二缺陷检测步骤，该第二缺 陷检测步骤另包含对准该对准标记，且该对准标记为该第二缺陷检测步骤的 参考点，其中该第二缺陷检测步骤包含取得一第二缺陷图谱；
比对该第一缺陷图谱与该第二缺陷图谱；
其特征在于，其中该第一缺陷检测步骤为一光学检测步骤，且该第二检 测步骤为一电子检测步骤，两个缺陷检测步骤在进行对准时采用相同的对准 标记而具有相同的参考点。
2.如权利要求1所述的方法，其中该工艺选自由蚀刻工艺、光刻工艺、 化学机械抛光工艺、注入工艺、清洗工艺与材料形成工艺等所组成的组。
3.如权利要求1所述的方法，其中该对准标记具有至少一直角。
4.如权利要求1所述的方法，其中该对准标记为一T型对准标记。
5.如权利要求1所述的方法，其中该对准标记为一L型对准标记。
6.如权利要求1所述的方法，其中该对准标记为一十字形对准标记。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
