[发明专利]具有导电导热基板的发光二极管制造方法及其结构无效
申请号: | 200810167401.0 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101521252A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 张旭源 | 申请(专利权)人: | 钜亨电子材料元件有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 导电 导热 发光二极管 制造 方法 及其 结构 | ||
1、一种具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其包括以下步骤:
提供一第一基板;
形成一发光磊晶层于该第一基板上,其是具有一第一表面及一第二表面;
结合一第二基板于该第一表面上,又该第二基板是具有:一导热绝缘基材;一第一金属层及一第二金属层,其是分别形成于该导热绝缘基材的两侧面,且该第一金属层是与该第一表面结合;以及一导电部,其是形成于该导热绝缘基材,且分别与该第一金属层及该第二金属层导电相连;
移除该第一基板,其是自该第二表面被移除;以及
形成一电极,其是形成于该第二表面上。
2、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的第一基板为一蓝宝石基板。
3、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的发光磊晶层是依序由一n型半导体层、一主动层及一p型半导体层所堆叠组成。
4、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的第一金属层的材质为一铝金属、一锡金属或一铝锡合金的金属。
5、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的导热绝缘基材为一氮化铝基材。
6、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的导热绝缘基材为一陶瓷基材。
7、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的导热绝缘基材为一碳化硅基材。
8、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的第二金属层的材质为一铝金属、一锡金属或一铝锡合金的金属。
9、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的导电部是由至少一导电通道所构成。
10、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的导电部是由至少一金属膜所构成。
11、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的移除该第一基板的步骤所使用的方法是选自于激光掀离、湿式蚀刻法、化学抛光法或其组合。
12、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的电极为一透明电极。
13、根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法,其特征在于其中所述的电极为一金属电极。
14、一种具有导电导热基板的发光二极管结构,其特征在于其包括:
一第二基板,其是具有:一导热绝缘基材;一第一金属层及一第二金属层,其是分别形成于该导热绝缘基材的两侧面;以及一导电部,其是形成于该导热绝缘基材,且分别与该第一金属层及该第二金属层导电相连;
一发光磊晶层,其是具有:一第一表面及一第二表面,又该第一表面是与该第一金属层结合;以及
一电极,其是设置于该第二表面上。
15、根据权利要求14所述的具有导电导热基板的发光二极管结构,其特征在于其中所述的导热绝缘基材为一氮化铝基材。
16、根据权利要求14所述的具有导电导热基板的发光二极管结构,其特征在于其中所述的导热绝缘基材为一陶瓷基材。
17、根据权利要求14所述的具有导电导热基板的发光二极管结构,其特征在于其中所述的导热绝缘基材为一碳化硅基材。
18、根据权利要求14所述的具有导电导热基板的发光二极管结构,其特征在于其中所述的第一金属层的材质为一铝金属、一锡金属或一铝锡合金的金属。
19、根据权利要求14所述的具有导电导热基板的发光二极管结构,其特征在于其中所述的第二金属层的材质为一铝金属、一锡金属或一铝锡合金的金属。
20、根据权利要求14所述的具有导电导热基板的发光二极管结构,其特征在于其中所述的第二金属层是由多数个金属板所形成。
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