[发明专利]基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序

权利要求书

1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：

收纳包括被叠层的未处理基板和已处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热处理和气体供给处理，在所述多个基板上进行成膜的基板处理部；

取得与所述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式的信息的取得部；

存储与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关的配置-成膜量模型的第一存储部，其中，所述配置模式为与所述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式；

根据来自所述第一存储部的配置-成膜量模型，对在所述取得部取得的配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的计算部；

判断所述计算出的预测成膜量是否在规定范围内的判断部；和

当判断所述计算出的预测成膜量在规定范围内时，控制所述基板处理部使之处理基板的控制部。

2.如权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于：

所述计算部还对多个基板中包括的多个监视用基板的预测成膜量进行计算；

所述判断部还对多个监视用基板的各自的预测成膜量及其均匀性是否在规定范围内进行判断。

3.如权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：

存储表示所述基板的处理温度对基板的成膜量施加的影响的温度-成膜量模型的第二存储部；和

当判断由所述计算部计算出的预测成膜量不在规定范围内时，根据来自所述第二存储部的温度-成膜量模型，决定处理温度的温度决定部，

所述控制部根据由所述温度决定部决定的处理温度控制所述基板处理部。

4.如权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于：

所述基板处理部具有加热所述基板的多个加热部，

当判断由所述计算部计算出的预测成膜量的均匀性不在规定范围内时，根据来自所述第二存储部的温度-成膜量模型，所述温度决定部决定与所述多个加热部分别对应的处理温度。

5.一种基板处理装置的控制方法，其对收纳包括被叠层的未处理基板和已处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热处理和气体供给处理，在所述多个基板上进行成膜的基板处理装置进行控制，该基板处理装置的控制方法的特征在于，包括：

取得与所述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式的信息的步骤；

根据与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关的配置-成膜量模型，对所述配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的步骤，其中，所述配置模式为与所述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式；

判断所述计算出的预测成膜量是否在规定范围内的步骤；和

当判断所述计算出的预测成膜量在规定范围内时，控制所述基板处理装置的步骤。