[发明专利]基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序

说明书

相关申请的参考

本专利申请享受2007年9月26日提出的为日本申请的特愿2007-249054的利益。引用该之前的申请的全部公开内容作为本说明书的一部分。

技术领域

本发明涉及基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。

背景技术

在半导体制造过程中使用对作为基板的半导体晶片(以下称为晶片)进行处理的基板处理装置，例如使用立式热处理装置。在立式热处理装置中，将架状保持多块晶片的保持部件配置在立式的热处理炉内，通过CVD(化学气相沉积)处理、氧化处理等，在基板上成膜(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2002-110552

发明内容

此处，必需控制在由基板处理装置处理的基板上的成膜量。

鉴于上述情况，本发明的目的为提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。

本发明为一种基板处理系统，其特征在于，包括：收纳包括被叠层的未处理基板和已处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热处理和气体供给处理，在上述多个基板上进行成膜的基板处理部；取得与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式(pattern)的信息的取得部；存储与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关的配置-成膜量模型的第一存储部，其中，上述配置模式为与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式；根据来自上述第一存储部的配置-成膜量模型，对在上述取得部取得的配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的计算部；判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内的判断部；和当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，控制上述基板处理部使之处理基板的控制部。

本发明为一种基板处理系统，其特征在于：上述计算部还对多个基板中包括的多个监视用基板的预测成膜量进行计算；上述判断部还对多个监视用基板的各自的预测成膜量及其均匀性是否在规定范围内进行判断。

本发明为一种基板处理系统，其特征在于，还包括：存储表示上述基板的处理温度对基板的成膜量施加的影响的温度-成膜量模型的第二存储部；和当判断由上述计算部计算出的预测成膜量不在规定范围内时，根据来自上述第二存储部的温度-成膜量模型，决定处理温度的温度决定部；上述控制部根据由上述温度决定部决定的处理温度控制上述基板处理部。

本发明为一种基板处理系统，其特征在于：上述基板处理部具有加热上述基板的多个加热部，当判断由上述计算部计算出的预测成膜量的均匀性不在规定范围内时，根据来自上述第二存储部的温度-成膜量模型，上述温度决定部决定与上述多个加热部分别对应的处理温度。

本发明为一种基板处理装置的控制方法，其对收纳包括被叠层的未处理基板和已处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热处理和气体供给处理，在上述多个基板上进行成膜的基板处理装置进行控制，该基板处理装置的控制方法的特征在于，包括：取得与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式的信息的步骤；根据与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关的配置-成膜量模型对上述配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的步骤，其中，上述配置模式为与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式；判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内的步骤；和当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，控制上述基板处理装置的步骤。

本发明为一种计算机程序，其用于使计算机执行基板处理装置的控制方法，其特征在于：基板处理装置的控制方法为对收纳包括被叠层的未处理基板和已处理基板的多个基板，并对该多个基板进行加热处理和气体供给处理，在上述多个基板上进行成膜的基板处理装置进行控制的基板处理装置的控制方法，该基板处理装置的控制方法包括：取得与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式的信息的步骤；根据与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关的配置-成膜量模型对上述配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的步骤，其中，上述配置模式为与上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式；判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内的步骤；和当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，控制上述基板处理装置的步骤。