[发明专利]基材支撑单元以及使用它的基材处理设备和方法无效
申请号: | 200810167562.X | 申请日: | 2008-10-08 |
公开(公告)号: | CN101409219A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 黄东淳;金兑寅;洪性真 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/687 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁兴龙;陈桂香 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 支撑 单元 以及 使用 处理 设备 方法 | ||
1.一种基材支撑单元,其包括:
沿第一方向可移动的第一支撑部,所述第一支撑部支撑基材的第一部分,其中,沿着相应于第一方向的方向供应处理流体;以及
沿第二方向可移动的第二支撑部,所述第二支撑部支撑所述基材的第二部分,
其中,在供应所述处理流体时,所述第一支撑部和所述第二支撑部中的至少一个支撑着所述基材。
2.根据权利要求1所述的基材支撑单元,其中,在对所述基材进行处理时,所述第一支撑部和所述第二支撑部在不同的时间支撑着所述基材。
3.根据权利要求1所述的基材支撑单元,其中,至少在供应所述处理流体时,所述第二支撑部支撑着所述基材。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基材支撑单元,其中,所述第一支撑部和所述第二支撑部均包括:
基板;以及
在所述基板上的支撑元件,所述支撑元件包括于其中插入所述基材的狭槽。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的基材支撑单元,其中,在所述基材两面彼此相对地设置一对第二支撑部。
6.根据权利要求5所述的基材支撑单元,其中,第一方向垂直于第二方向。
7.一种基材支撑单元,其包括:
沿竖直方向可移动的第一支撑部,所述第一支撑部支撑竖直设置的基材的下端;以及
沿水平方向可移动的第二支撑部,所述第二支撑部支撑所述基材的两侧端。
8.根据权利要求7所述的基材支撑单元,其中,在对所述基材进行处理时,所述第一支撑部和所述第二支撑部在不同的时间支撑着所述基材。
9.根据权利要求7或8所述的基材支撑单元,其中,所述第一支撑部和所述第二支撑部均包括:
基板;以及
在所述基板上的支撑元件,所述支撑元件包括于其中插入所述基材的狭槽。
10.一种基材处理设备,其包括:
容纳基材的第一腔室,所述第一腔室对所述基材进行处理;
在所述第一腔室内的喷射器,所述喷射器向所述基材供应处理流体;以及
在所述第一腔室内的基材支撑单元,所述基材支撑单元在进行处理时支撑着所述基材,
其中,所述基材支撑单元包括:
沿着相应于所述处理流体的供应方向的第一方向可移动的第一支撑部,所述第一支撑部支撑所述基材的第一部分;以及
沿第二方向可移动的第二支撑部,所述第二支撑部支撑所述基材的第二部分,
其中,在供应所述处理流体时,所述第一支撑部和所述第二支撑部中的至少一个支撑着所述基材。
11.根据权利要求10所述的基材处理设备,其中,在对所述基材进行处理时,所述第一支撑部和所述第二支撑部在不同的时间支撑着所述基材。
12.根据权利要求10或11所述的基材处理设备,其中,所述第一支撑部和所述第二支撑部均包括:
基板;以及
在所述基板上的支撑元件,所述支撑元件包括于其中插入所述基材的狭槽。
13.根据权利要求10或11所述的基材处理设备,其中,在所述基材两面彼此相对地设置一对第二支撑部。
14.根据权利要求13所述的基材处理设备,其中,第一方向垂直于第二方向。
15.根据权利要求10或11所述的基材处理设备,还包括:在所述第一腔室下面的第二腔室。
16.根据权利要求15所述的基材处理设备,还包括:
在所述第一腔室内的第一喷射器,所述第一喷射器供应清洁流体;以及
在所述第二腔室内的第二喷射器,所述第二喷射器供应干燥气。
17.一种基材处理设备,其包括:
容纳基材的第一腔室,所述第一腔室对所述基材进行第一处理;
与所述第一腔室连接的第二腔室,所述第二腔室对所述基材进行第二处理;
支撑所述基材的第一支撑件,所述第一支撑件在所述第一腔室和所述第二腔室之间与所述基材一起转移;以及
在所述第二腔室内支撑所述基材的第二支撑件,所述第二支撑件可与其上支撑的所述基材一起旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造